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IO251PDB6V2 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA和Flash * Freeze技术 (Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology)
.型号:   IO251PDB6V2
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描述: 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA和Flash * Freeze技术
Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology
文件大小 :   10501 K    
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100%
军队的ProASIC3 / EL器件系列简介
闪存的优势
低功耗
ƒ
闪存为基础的FPGA军事ProASIC3EL系列提供了一个低功耗的优势,当
再加上高性能,使设计人员使用单芯片,使功耗明智的选择,
可重复编程,并活在功率器件。
军事ProASIC3EL器件提供40 %的动态功耗和50 %的静态功耗节省通过减少
在自由人的核心工作电压为1.2 V.此外,功率驱动布局( PDL )功能
®
集成
设计环境(IDE)提供多达30%的额外的功率降低。随着Flash * Freeze技术,
军事ProASIC3EL装置能够保持设备的SRAM和逻辑电路而动态功耗被降低到一个
最小,而不需要停止时钟或电源。结合这些功能提供了一个低
电源,功能丰富,和高性能的解决方案。
安全
非易失性的,基于闪存的军事的ProASIC3 / EL器件不需要引导PROM ,所以没有
脆弱的外部流可以很容易地复制。军队的ProASIC3 / EL器件具有
的FlashLock ,它提供了可重编程和设计安全性的独特组合,而不
外开销,优点只有一个FPGA具有非易失性闪存编程可以提供。
军事的ProASIC3 / EL器件利用一个128位的基于闪存的锁和一个单独的AES密钥来保护
编程知识产权和配置数据。此外,在军事所有FlashROM的数据
的ProASIC3 / EL器件可在装货前使用业界领先的AES- 128 ( FIPS 192 )加密,
比特分组密码加密标准。 AES是通过美国国家标准研究所
技术研究院(NIST )于2000年,并取代1977年的DES标准。军事的ProASIC3 / EL器件有一个
内置AES解密引擎和基于闪存的AES密钥,使他们成为最全面的
提供可编程逻辑器件的安全解决方案今天。军队的ProASIC3 / EL器件与AES-
基于安全性允许安全,远程现场升级通过公共网络(如Internet) ,和
确保宝贵的知识产权仍出系统过度构建,系统拷贝机和IP小偷的手。
安全性,内置的FPGA架构,是军队的ProASIC3 / EL系列的固有组成部分。该
闪存单元位于下7金属层,以及许多设备的设计和布局技术有
被用来制造侵入性的攻击非常困难。军队的ProASIC3 / EL系列,与Flash锁
和AES安全性,是被这两个创和无创的攻击高抗独特。您的
有价值的知识产权保护和安全,使远程ISP可能。阿军的ProASIC3 / EL器件
为可编程逻辑设计中最坚不可摧的安全性。
单芯片
以Flash为基础的FPGA存储其配置信息在片上闪存单元。一旦编程,
配置数据是FPGA结构的固有部分,没有外部配置数据需要
在系统上电(不像基于SRAM的FPGA )被加载。因此,基于闪存的军事
的ProASIC3 / EL FPGA中不需要的系统配置组件,如急性尿潴留的EEPROM
微控制器加载设备配置数据。这降低了元器件用料成本和PCB面积,
并增加了安全性和系统的可靠性。
住在加电
以Flash为基础的ProASIC3军事/ EL器件支持的LAPU分类标准的0级。此
功能有助于在系统组件的初始化,执行关键任务的前处理器唤醒
起来,设置和内存块的配置,时钟产生和总线活动管理。该
基于闪存的军事的ProASIC3 LAPU功能/ EL器件极大地简化了整个系统的设计和
降低系统成本,经常省去了感冒和时钟产生锁相环。此外,
故障和限电的系统电源不会破坏军队的ProASIC3 / EL器件的Flash
配置,而且不像基于SRAM的FPGA ,该设备将不必重新加载时,系统
恢复供电。这使得减少或彻底清除配置PROM的,昂贵
电压监控器,掉电检测和时钟发生器从PCB设计的设备。基于Flash
军队的ProASIC3 / EL器件简化整体系统设计,降低成本和设计风险,同时
提高了系统的可靠性和提高系统初始化时间。
† A3P1000仅支持1.5 V核心业务。
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