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IO251PDB6V2 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA和Flash * Freeze技术 (Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology)
.型号:   IO251PDB6V2
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描述: 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA和Flash * Freeze技术
Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology
文件大小 :   10501 K    
页数 : 212 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA
降低拥有成本
优点设计师超出低单位成本,性能和易用性。不像SRAM-
基于FPGA的,基于闪存的军事的ProASIC3 / EL器件允许所有的功能是住在上电;没有
外部引导PROM是必需的。车载安全机制防止访问所有编程
信息,使FPGA逻辑的安全的远程更新。设计人员可以进行安全的远程
在系统重新编程,以支持未来的设计迭代和现场升级与信心
有价值的知识产权,不能复制或受到威胁。安全ISP可以使用进行
行业标准的AES算法。军队的ProASIC3 / EL系列器件的架构减轻了需要
为在更高的容量ASIC迁移。这使得军事的ProASIC3 / EL家族具有成本效益的ASIC
更换。
固件错误免疫能力
出现固件错误最常见的,当高能中子,在高层大气中,产生罢工
的结构的SRAM的FPGA的细胞。碰撞的能量可以改变的状态
配置单元,从而改变逻辑,路由或以不可预知的方式I / O行为。这些
错误是不可能的,以防止存储在SRAM的FPGA。这种类型的错误的结果可以是一个
完整的系统故障。坚定的错误不会在军事的ProASIC3的配置存储器/ EL存在
闪存为基础的FPGA。一旦被编程,军事的ProASIC3的快闪单元的配置元素/ EL
FPGA能够不通过高能中子被改变,因此免疫它们。可恢复(或
发生在所有FPGA器件的用户数据SRAM软)错误。这些可以很容易地通过使用来减轻
误差检测和校正(EDAC)电路内置于FPGA架构。
先进的闪存技术
军队的ProASIC3 / EL系列提供了许多好处,包括非挥发性和可重编程,
通过先进的基于闪存的130纳米工艺LVCMOS与7层的金属。标准CMOS
设计技术用于实现逻辑和控制功能。精细粒度的组合,
增强灵活的路由资源,和丰富的闪光灯开关允许非常高的逻辑利用率
不影响设备的路由能力和性能。在装置内的逻辑功能是
通过四级层次结构的路由互连。
先进的架构
该专有的的军事的ProASIC3 / EL的体系结构提供了的粒度相媲美,以标准的-单元格
ASIC的。军队的ProASIC3 / EL装置由五个不同的可编程体系结构
特点(图
FPGA VersaTiles
专用的FlashROM
专用SRAM / FIFO存储器
丰富的幼儿中心和PLL
I / O结构
FPGA内核由VersaTiles的海洋中。每个多功能的可配置为一个三输入逻辑
功能,一个D触发器(带或不使能) ,或一个锁存通过对相应的闪光开关
互连。军事的ProASIC3 / EL芯瓦片的通用性,无论是作为三输入查找表
(LUT)等效或D-触发器/锁存与启用,允许有效地利用该FPGA架构。该
多才多艺的能力是独一无二的的ProASIC系列的第三代架构的快闪FPGA 。
VersaTiles与任何四个级别分级路由的连接。闪光灯开关分布
整个设备提供非易失性的,可重新配置的互连的编程。最大的核心
利用可以为几乎任何设计。
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