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SDR9105CTN  SDR933-61  SDR934-61  SDR9103CTN_1  SDR9312  SDR9104CTN  SDR9311  SDR932-61  SDR9103CTN  SDR935-61  
JAN1N752DTR SILICON 400毫瓦齐纳二极管 (SILICON 400 mW ZENER DIODES)
.型号:   JAN1N752DTR
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描述: SILICON 400毫瓦齐纳二极管
SILICON 400 mW ZENER DIODES
文件大小 :   216 K    
页数 : 3 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
1N746通1N759A , -1,
1N4370直通1N4372A , -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
(注2 )
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
(注3)
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25ºC
µA
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150ºC
µA
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
(注4 )
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 :
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 % 。后缀字母A表示±5 %的容差;后缀
字母C表示+/- 2 % ;而后缀字母D表示+/- 1 %的容差。
注2 :
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 :
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
, 60厘泊,有效值交流电流等于10 %
I
ZT
( 2毫安AC) 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 :
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数% / ºC
1N746 -759A
1N4370 - 4372A (DO- 35)的
o
T
L
- 引线温度( C) 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压(伏)
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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