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1N957B , -1直通1N992B , -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N957B通1N992B系列0.5瓦特齐纳电压
调节器提供了从6.8到200伏特的标准5%或选择
10%的容差,以及确定了不同的后缀严格的公差
信上的部件号。这些玻璃轴向引线DO -35的齐纳二极管
也可以通过添加一个“-1”内部冶金,债券期权
后缀。该1N962B - 1直通1N992B -1一月, JANTX可用,
JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳产品,以满足更高和更低功耗的应用。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册1N957B (-1)到1N992B (-1)系列
可通过内部的冶金结合选项
添加一个“-1”的后缀
一月, JANTX ,并JANTXV也可
每MIL -PRF-一百十七分之一万九千五资格加入的
JAN , JANTX ,或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望电平以及“-1”后缀;
(例如JANTX1N962B -1, JANTXV1N986C -1等)的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN , JANTX ,并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 (参见单独的数据表)
商用表面贴装当量可作为
MLL957B到MLL992B或“-1”为后缀的结合
在DO- 213AA MELF风格包(咨询
工厂等)
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
丰富的选择,从6.8到200 V
标准电压容差的正/负5 %
与B后缀, 10 %带有后缀标识
可在正负2 %的容差
或1%的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容(参见图3)
天生辐射坚硬如所描述
Microsemi的MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度: -65
º
C到
+175
º
C
热电阻: 250
º
C / W交界处领导在3/8
(10毫米)的车身引线长度,或310
º
C / W结
安装在FR4印刷电路板时1盎司到环境(
铜)与4毫米
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米,
长25毫米
稳定状态功率: 0.5瓦特在T
L
& LT ; 50
o
Ç 3/8英寸
从主体(10毫米)或在T 0.48 W¯¯
A
& LT ; 25
º
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力(参见图1 )
正向电压@ 200毫安: 1.1伏特(最大值)
1N957B - 1N985B和1.3 V为1N985 - 1N992B
焊接温度: 260
º
下进行10秒(最大)
机械及包装
案例:全密封轴向引线玻璃
DO- 35 (DO- 204AH )包
终端:信息,锡铅镀焊
每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:负极由乐队表示。二极管
要与带状端正操作
相对于所述另一端为齐纳
标记:部件号
磁带&卷轴选项:每标准EIA -296
(加“ TR”后缀部件号)
重量: 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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1N957B , -1直通1N992B , -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
TYPE
(注1 )
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
公称
齐纳
电压
(注2 )
齐纳
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
(注3)
MAX 。 DC
齐纳
当前
(注4 )
MAX 。 SURGE
当前
(注5 )
马克斯。反向
泄漏
当前
I
R
@
V
R
µA
150
5.2
75
5.7
50
6.2
25
6.9
10
7.6
8.4
5
9.1
5
9.9
5
11.4
5
12.2
5
13.7
5
15.2
5
16.7
5
18.2
5
20.6
5
22.8
5
25.1
5
27.4
5
29.7
5
32.7
5
35.8
5
38.8
5
42.6
5
47.1
5
51.7
5
56.0
5
62.2
5
69.2
5
76.0
5
83.6
5
91.2
5
98.8
5
114.0
5
121.6
5
136.8
5
152.0
5
马克斯。温度。
系数
%/
o
C
+0.05
+0.058
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.083
+0.085
+0.086
+0.087
+0.088
+0.090
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
Z
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
Z
ZT
@ I
ZT
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13.0
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
@ I
ZK
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
I
ZM
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
3.1
2.7
2.4
2.2
2.0
1.8
I
ZSM
mA
300
275
250
225
200
175
160
150
130
120
110
100
90
80
70
65
60
55
46
44
40
37
35
30
28
26
23
21
18
16
15
13
12
11
10
9
α
VZ
* JEDEC注册资料
注1 :
所示的JEDEC类型号(B后缀)对标称稳压电压的±5 %的容差。该后缀用于识别+/-
10 %的容差;后缀C被用于识别+/- 2% ;和后缀D被用来标识为+/- 1 %的容差;无后缀表示+/- 20 %
耐受性。
注2 :
齐纳电压(
V
Z
)后测试电流已经施加20 ±5秒内测量。该装置应受暂停
引线与安装夹的0.375之间从主体的内部边缘“和0.500 ” 。安装夹应保持在一
o
25 + 8 / -2 ℃。温度
注3 :
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10% (我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点,以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
注4 :
的值
I
ZM
计算的名义齐纳电压的±5 %的容差。津贴已经取得了上涨的齐纳
电压高于V
ZT
来自齐纳阻抗和功率耗散的方法增加的结点温度的效果
o
400毫瓦。在个别的二极管我的情况
ZM
是的电流值这导致400毫瓦的功耗在75℃引
温度为3/8“的身体。
注5 :
激增的我
ZSM
是方波或1/120秒等效半正弦波脉冲。持续时间。
1N957B - 992B
(DO-35)
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2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
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硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
图的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数% / C
电压温度
o
系数% / C
o
MV变化/ ºC
o
T
L
- 引线温度( C) 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压(伏)
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
包装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
INCH :在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
(典型值)
版权
2003
2003年10月31日REV B
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11 MICROSEMI

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Silicon 500 mW Zener Diodes
11 MICROSEMI

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Silicon 500 mW Zener Diodes
14 MICROSEMI