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BZG05C3V9  BZG05C3V3  BZG05C3V6  BZG05C5V6  BZG05C5V1  BZG05C43  BZG05C68  BZG05C47  BZG05C4V3  BZG05C62  
JANMQSMCGLCE36A 1500 WATT低电容表面贴装瞬态电压抑制器 (1500 WATT LOW CAPACITANCE SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)
.型号:   JANMQSMCGLCE36A
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描述: 1500 WATT低电容表面贴装瞬态电压抑制器
1500 WATT LOW CAPACITANCE SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
文件大小 :   253 K    
页数 : 4 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
SMCGLCE6.5通SMCGLCE170A , E3
SMCJLCE6.5通SMCJLCE170A , E3
斯科茨代尔区划
1500 WATT低电容
表面贴装型瞬态
电压抑制器
外形
描述
这种表面贴装瞬态电压抑制器( TVS )产品系列包括
串联的整流二极管元件和相反的方向上实现低电容
下面100 pF的。它们也可以作为符合RoHS,具有E3后缀。低
TVS的电容可以被用来保护在电感更高频率的应用
切换涉及每个二级雷电影响环境或电气系统
IEC61000-4-5 ,以及RTCA / DO- 160D或ARINC 429机载航空电子设备。他们
从ESD和EFT每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4也保护。如果双极
瞬态能力是必需的,也可以使用两个这样的低电容TVS器件的
在平行和相反方向(反平行),用于完成交保护(图6) 。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
WWW .
Microsemi的
.C
OM
特点
可在6.5至200 V断态电压范围
100 pF以下的低电容
模塑料阻燃等级: UL94V -O
在C-弯两种不同的终端( J-修改
德配DO- 214AB )或鸥翼( DO- 215AB )
符合MIL -PRF- 19500的筛选选项
为JAN , JANTX , JANTXV和JANS可通过
加入MQ , MX , MV ,或MSP前缀分别组成部分
号码
可选100 %筛查航空电子级可通过
加入MA前缀部件号为100 %,温度
循环-55℃至125℃ (10X ),以及浪涌(3X)和24
小时HTRB与测试后V
BR
&放大器;我
R
可通过添加“E3 ”后缀符合RoHS设备
应用/优势
1500瓦峰值脉冲功率在10/1000
μs
保护每架飞机选择快速数据传输速率线
在RTCA /电平波形DO- 160D & ARINC 429
低电容的高速数据线
接口
IEC61000-4-2 ESD 15千伏(空气) , 8千伏(接触)
IEC61000-4-5 (闪电)中进一步详述
LCE6.5通LCE170A数据表
T1 / E1线路卡
基站
广域网接口
XDSL接口
CSU / DSU设备
最大额定值
1500瓦的峰值脉冲功耗为25℃
为0.01 %或更少的重复率*
o
机械及包装
案例:模压,表面贴装
端子:鸥翼或C形弯曲( J-修改
弯曲)锡铅或符合RoHS标准退火
每MIL -STD -750雾锡镀焊,
方法2026
极性:负极指示的带
标记:无前缀部分号码(例如
LCE6.5A , LCE6.5Ae3 , LCE33 , LCE33Ae3等。
磁带&卷轴选项:每个标准EIA- 481 -B
拥有16毫米磁带, 750元7寸盘或2500元
13英寸卷轴(加“ TR”后缀的部件号)
钳位因子: 1.4 @全额定功率
1.30 @ 50 %额定功率
-9
t
夹紧
( 0伏特至V
( BR )
分) :小于5×10秒
工作和存储温度: -65至+150
o
C
稳态功耗: 5.0W @ T
L
= 50
o
C
热电阻: 20
o
C / W (典型的交界处
铅(选项卡) ,在安装平面
*当脉冲测试,没有脉冲相反的方向
(见“原理应用”部分,并在此
图5 & 6,用于在两个方向上进一步保护)
电气特性@ 25
o
C
Microsemi的
产品型号
鸥翼
“G”
BEND LEAD
SMCGLCE6.5
SMCGLCE6.5A
SMCGLCE7.0
SMCGLCE7.0A
SMCGLCE7.5
SMCGLCE7.5A
SMCGLCE8.0
SMCGLCE8.0A
SMCGLCE8.5
SMCGLCE8.5A
SMCGLCE9.0
SMCGLCE9.0A
SMCGLCE / SMCJLCE
Microsemi的
产品型号
改进
“J”
BEND LEAD
SMCJLCE6.5
SMCJLCE6.5A
SMCJLCE7.0
SMCJLCE7.0A
SMCJLCE7.5
SMCJLCE7.5A
SMCJLCE8.0
SMCJLCE8.0A
SMCJLCE8.5
SMCJLCE8.5A
SMCJLCE9.0
SMCJLCE9.0A
反向
对峙
电压
击穿电压
V
BR
7.22
7.22
7.78
7.78
8.33
8.33
8.89
8.89
9.44
9.44
10.0
10.0
@ I
( BR )
最大
反向
泄漏
最大
夹紧
电压
V
WM
6.5
6.5
7.0
7.0
7.5
7.5
8.0
8.0
8.5
8.5
9.0
9.0
@V
WM
最大
8.82
7.98
9.51
8.60
10.2
9.21
10.9
9.83
11.5
10.4
12.2
11.1
mA
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
@I
PP
V
C
12.3
11.2
13.3
12.0
14.3
12.9
15.0
13.6
15.9
14.4
16.9
15.4
I
D
μA
1000
1000
500
500
250
250
100
100
50
50
10
10
最大
峰值脉冲
当前
I
PP
@10/1000
安培
100
100
100
100
100
100
100
100
94
100
89
97
最大
电容
@ 0伏特,
F = 1 MHz的
pF
75
75
75
75
100
100
100
100
100
100
100
100
V
WIB
B
I
IB
闭塞
泄漏
当前
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
PIB
PEAK
闭塞
电压
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
工作
闭塞
电压
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
版权
©
2005
2005年6月6日版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
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