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DFB2505  DFB2520  DFB2560  DFB25100  DFB2580  DFB2510  DFB2540  
JANS1N4565AUR-1 温度补偿齐纳二极管基准二极管 (TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES)
.型号:   JANS1N4565AUR-1
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描述: 温度补偿齐纳二极管基准二极管
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
文件大小 :   259 K    
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
• 1N4565AUR - 1 THRU 1N4584AUR - 1适用车型
JAN , JANTX , JANTXV和JANS 1N4565AUR - 1直通1N4584AUR - 1
每MIL -PRF-四百五十二分之一万九千五百
•温度补偿齐纳二极管基准二极管
•无铅封装用于表面安装
•低电流工作范围: 0.5〜 4.0毫安
•冶金结合,双封堵施工
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
DC功耗: 500毫瓦@ + 50°C
功率降额: 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
CDLL4565通CDLL4584A
反向漏电流
LR = 2
µ
A @ 25℃ & VR =有3Vdc
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci�½ed.
CDI
TYPE
齐纳
TEST
当前
升ZT
有效
温度
系数
电压
温度
稳定性
³VZT MAX
-55 ℃至+ 100 ℃
(注1 )
mV
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
温度
范围
MAX.DYNAMIC
齐纳
阻抗
ZZT
(注2 )
°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
0至+ 75°C
-55〜 + 100°C
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
mA
CDLL4565
CDLL4565A
CDLL4566
CDLL4566A
CDLL4567
CDLL4567A
CDLL4568
CDLL4568A
CDLL4569
CDLL4569A
CDLL4570
CDLL4570A
CDLL4571
CDLL4571A
CDLL4572
CDLL4572A
CDLL4573
CDLL4573A
CDLL4574
CDLL4574A
CDLL4575
CDLL4575A
CDLL4576
CDLL4576A
CDLL4577
CDLL4577A
CDLL4578
CDLL4578A
CDLL4579
CDLL4579A
CDLL4580
CDLL4580A
CDLL4581
CDLL4581A
CDLL4582
CDLL4582A
CDLL4583
CDLL4583A
CDLL4584
CDLL4584A
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
%/°C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
图1
设计数据
案例:
DO- 213AA ,完全密封
玻璃柜。 ( MELF , SOD- 80 , LL34 )
铅表面处理:
锡/铅
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装位置:
任。
安装面选择:
扩展的轴向系数
( COE )这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
观察到的在整个温度范围内的最大容许变化
i.e.,the diode voltage will not exceed the speci�½ed mV at any discrete
既定的限制,根据JEDEC标准5号之间的温度。
注2
齐纳阻抗叠加在升ZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于升的ZT的10%。
6湖街,劳伦斯,马萨诸塞州01841
电话( 978 ) 620-2600
传真( 978 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
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