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B41866C4228M001  B41886A4227M00  B41888C3568M002  B41888C5158M001  B41888C5478M001  B41888C5338M001  B41888C4108M001  B41886A2228M00  B41888C5478M002  B41851A4478M000  
JANTX1N5533AUR 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 (LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW)
.型号:   JANTX1N5533AUR
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描述: 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
文件大小 :   107 K    
页数 : 2 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
• 1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型
JAN , JANTX和JANTXV
每MIL -PRF- 437分之19500
•齐纳二极管500mW的
•无铅封装用于表面安装
•低反向漏电流特性
•冶金结合
1N5518BUR-1
THRU
1N5546BUR-1
CDLL5518通CDLL5546D
最大额定值
结存储温度: -65 ° C至+ 125°C
DC功耗: 500毫瓦@ TEC = + 125°C
功率降额: 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C
正向电压@ 200毫安: 1.1伏特最大
电气特性
@ 25 ° C,除非另有规定ED 。
B-C -D
苏FFI X
最大
直流稳压
CDI
TYPE
公称
齐纳
齐纳
TEST
电压电流
VZ @ 1ZT
1ZT
马克斯。齐纳
阻抗
B-C -D后缀
ZZT @ 1ZT
(注3)
最大反向
漏电流
因素
当前
∆V
Z
(注5 )
VZ
当前
1ZL
(注1 )
(注2 )
mA
lR
(注4 )
VR - 伏特
NON & A-
苏FFI X
B-C -D-
苏FFI X
1ZM
µ
ADC
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
mA
mA
CDLL5518B
CDLL5519B
CDLL5520B
CDLL5521B
CDLL5522B
CDLL5523B
CDLL5524B
CDLL5525B
CDLL5526B
CDLL5527B
CDLL5528B
CDLL5529B
CDLL5530B
CDLL5531B
CDLL5532B
CDLL5533B
CDLL5534B
CDLL5535B
CDLL5536B
CDLL5537B
CDLL5538B
CDLL5539B
CDLL5540B
CDLL5541B
CDLL5542B
CDLL5543B
CDLL5544B
CDLL5545B
CDLL5546B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
暗淡
D
F
G
G1
S
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
图1
设计数据
案例:
DO- 213AA ,完全密封
玻璃柜。 ( MELF , SOD- 80 , LL34 )
铅表面处理:
锡/铅
热阻(R
OJEC ) :
100℃ / W最大为L = 0英寸
热阻抗: (Z
OJX ) : 35
C / W最高
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装面选择:
扩展的轴向系数
( COE )这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
没有后缀类型号码+ 20 %有保证的限制仅VZ ,LR和VF 。
单位以“A”后缀是+ 10%保限制VZ ,LR和VF 。单位
保证范围为所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 %为单位,
“C”的后缀为+ 2.0 %和“D ”后缀为+ 1.0 % 。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
温度为25℃ + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
10 % of1ZT 。
注2
注3
注4
注5
反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。
∆V
Z是VZ之间的LZT和VZ在LZL测得的最大区别
在热平衡器件的结点。
6湖街,劳伦斯,马萨诸塞州01841
电话( 978 ) 620-2600
传真( 978 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
143
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