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![]() • 1N5518BUR - 1 THRU 1N5546BUR - 1适用车型 JAN , JANTX和JANTXV 每MIL -PRF- 437分之19500 •齐纳二极管500mW的 •无铅封装用于表面安装 •低反向漏电流特性 •冶金结合 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 和 CDLL5518通CDLL5546D 最大额定值 结存储温度: -65 ° C至+ 125°C DC功耗: 500毫瓦@ TEC = + 125°C 功率降额: 10毫瓦/ ° C以上TEC = + 125°C 正向电压@ 200毫安: 1.1伏特最大 电气特性 @ 25 ° C,除非另有规定ED 。 B-C -D 苏FFI X 最大 直流稳压 CDI TYPE 数 公称 齐纳 齐纳 TEST 电压电流 VZ @ 1ZT 1ZT 马克斯。齐纳 阻抗 B-C -D后缀 ZZT @ 1ZT (注3) 欧 最大反向 漏电流 规 因素 当前 ∆V Z (注5 ) 伏 低 VZ 当前 1ZL (注1 ) (注2 ) 伏 mA lR (注4 ) VR - 伏特 NON & A- 苏FFI X B-C -D- 苏FFI X 1ZM µ ADC 5.0 3.0 1.0 3.0 2.0 2.0 2.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.1 0.05 0.05 0.05 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 mA mA CDLL5518B CDLL5519B CDLL5520B CDLL5521B CDLL5522B CDLL5523B CDLL5524B CDLL5525B CDLL5526B CDLL5527B CDLL5528B CDLL5529B CDLL5530B CDLL5531B CDLL5532B CDLL5533B CDLL5534B CDLL5535B CDLL5536B CDLL5537B CDLL5538B CDLL5539B CDLL5540B CDLL5541B CDLL5542B CDLL5543B CDLL5544B CDLL5545B CDLL5546B 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 22.0 24.0 25.0 28.0 30.0 33.0 20 20 20 20 10 5.0 3.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 26 24 22 18 22 26 30 30 30 35 40 45 60 80 90 90 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 0.90 0.90 0.90 1.0 1.5 2.0 3.0 4.5 5.5 6.0 6.5 7.0 8.0 9.0 9.5 10.5 11.5 12.5 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 20.0 21.0 23.0 24.0 28.0 1.0 1.0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.5 5.0 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 9.9 10.8 11.7 12.6 13.5 14.4 15.3 16.2 17.1 18.0 19.8 21.6 22.4 25.2 27.0 29.7 115 105 98 88 81 75 68 61 56 51 46 42 38 35 32 29 27 25 24 22 21 20 19 17 16 15 14 13 12 0.90 0.90 0.85 0.75 0.60 0.65 0.30 0.20 0.10 0.05 0.05 0.05 0.10 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 2.0 2.0 2.0 2.0 1.0 0.25 0.25 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 暗淡 D F G G1 S MILLIMETERS 英寸 最小值最大值最小值最大值 1.60 1.70 0.063 0.067 0.41 0.55 0.016 0.022 3.30 3.70 .130 .146 2.54 REF 。 .100 REF 。 0.03 MIN 。 0.001 MIN 。 图1 设计数据 案例: DO- 213AA ,完全密封 玻璃柜。 ( MELF , SOD- 80 , LL34 ) 铅表面处理: 锡/铅 热阻(R OJEC ) : 100℃ / W最大为L = 0英寸 热阻抗: (Z OJX ) : 35 C / W最高 极性: 二极管与操作 带状(阴极)端阳性。 安装面选择: 扩展的轴向系数 ( COE )这个装置大约是 + 6PPM / ℃。在安装的COE 地面系统应选择 提供一个合适的符合这种 装置。 注1 没有后缀类型号码+ 20 %有保证的限制仅VZ ,LR和VF 。 单位以“A”后缀是+ 10%保限制VZ ,LR和VF 。单位 保证范围为所有六个参数由“B ”后缀表示为+ 5.0 %为单位, “C”的后缀为+ 2.0 %和“D ”后缀为+ 1.0 % 。 齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结 温度为25℃ + 3 ℃。 齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于 10 % of1ZT 。 注2 注3 注4 注5 反向漏电流是在VR所示测量在桌子上。 ∆V Z是VZ之间的LZT和VZ在LZL测得的最大区别 在热平衡器件的结点。 6湖街,劳伦斯,马萨诸塞州01841 电话( 978 ) 620-2600 传真( 978 ) 689-0803 网址: http://www.microsemi.com 143
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