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1N5629直通1N5665A
1500 WATT单向
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
描述
这种流行的瞬态电压抑制器( TVS)系列1N5629直通
1N5665A是JEDEC注册选择单向装置。所有
有1500相同的高额定峰值脉冲功率W和极快的
响应时间。它们也可用于军用合格的选择为可用
在功能部分说明。它们最常用于
保护免受电感式开关瞬变的环境,
射频感应效果,或者引起继发闪电效果的发现
较低的水平激增IEC61000-4-5的。它们也可用于非常成功
保护机载航空电子设备和电气系统。由于他们的反应
时间几乎是瞬间的,他们也可以从ESD和EFT保护每
IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
(DO-202AA)
特点
单向TVS系列通孔安装
瞬态抑制高达1500瓦特@ 10/1000微秒
(参见图1)
瞬态钳位在不到100微微秒
工作电压(V
WM
)范围5 V至171 V
气密密封的DO- 13金属封装
也可用于JAN / TX /热力膨胀阀的军事资历
在严格的公差“A ”后缀每MIL- PRF-设备
五百分之一万九千五百通过将JAN , JANTX ,或JANTXV
前缀,如JANTXV1N5629A等。
对于同一个DO- 13封装的双向TVS ,
参见单独的数据表中的1N6036 - 1N6072A
系列(也是军事合格)
表面贴装相当于包也可作为
SMCJ5.0 - SMCJ170CA或SMCG5.0 - SMCG170CA
在单独的数据表(咨询工厂其他
表面贴装选项)
在可用的塑料轴向引线等效
1N6267 - 1N6303A系列单独的数据表
应用/优势
保护开关瞬态和感应RF
符合IEC 61000-4-2和-4-4 ESD & EFT保护
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
42欧姆源阻抗:
第1类: 1N5629到1N5665A
第2类: 1N5629到1N5663A
第3类: 1N5629到1N5655A
第四类: 1N5629到1N5648A
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
12欧姆源阻抗:
第1类: 1N5629到1N5658A
第2类: 1N5629到1N5651A
第3类: 1N5629到1N5643A
第四类: 1N5629到1N5636A
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
2欧姆源阻抗:
第2类: 1N5629到1N5642A
第3类: 1N5629到1N5635A
每Microsemi的MicroNote 050天生辐射硬
最大额定值
1500瓦为10/1000
µs
用0.01%的重复率或
o
以下*
在铅温度(T
L
) 25℃ (参照图1,图2 , & 4)
操作&存储温度: -65
o
到+175
o
C
热电阻: 50
o
C / W交界处领导在
从主体或110 0.375英寸( 10mm)的
o
C / W结到
2
安装在FR4印刷电路板与4毫米当环境
铜垫(1盎司)和跟踪宽1毫米,长25毫米
DC功耗
*
: 1瓦在T
L
< 125
o
C 3/8” (10
毫米)的机身(参见图3降额和下面的说明)
正向浪涌电流:200安培8.3ms的正弦半波
波在T
A
= +25
o
C
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
案例: DO - 13 ( DO- 202AA ) ,焊接,密封
密封的金属和玻璃
表面处理:所有的外部金属表面的锡铅
镀每MIL -STD- 750方法焊
2026
极性:负极连接情况和极性
通过二极管符号表示
标记:部件号和极性二极管符号
重量:2.3克。 (约)
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5629直通1N5665A
5629直通1N5665A
*
TVS器件通常不用于直流功耗,相反,却等于或小于其额定隔绝电压操作
(V
WM
)除了瞬变简要驱动设备进入雪崩击穿(V
BR
到V
C
区域)。
版权
2002
2003年11月6日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1N5629直通1N5665A
1500 WATT单向
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
电气特性@ T
A
= 25
o
C
JEDEC
TYPE
号码*
1N5629
1N5629A
1N5630
1N5630A
1N5631
1N5631A
1N5632
1N5632A
1N5633
1N5633A
1N5634
1N5634A
1N5635
1N5635A
1N5636
1N5636A
1N5637
1N5637A
1N5638
1N5638A
1N5639
1N5639A
1N5640
1N5640A
1N5641
1N5641A
1N5642
1N5642A
1N5643
1N5643A
1N5644
1N5644A
1N5645
1N5645A
1N5646
1N5646A
1N5647
1N5647A
1N5648
1N5648A
1N5649
1N5649A
1N5650
1N5650A
1N5651
1N5651A
1N5652
1N5652A
1N5653
1N5653A
1N5654
1N5654A
1N5655
1N5655A
1N5656
1N5656A
1N5657
1N5657A
1N5658
1N5658A
1N5659
1N5659A
1N5660
1N5660A
WWW .
Microsemi的
.C
OM
击穿
电压
V
( BR )
@ I
( BR )
分钟。
V
6.12
6.45
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.00
9.5
9.9
10.5
10.8
11.4
11.7
12.4
13.5
14.3
14.4
15.2
16.2
17.1
18.0
19.0
19.8
20.9
21.6
22.8
24.3
25.7
27.0
28.5
29.7
31.4
32.4
34.2
35.1
37.1
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90
95
99
105
108
114
117
124
击穿
当前
I
( BR )
马克斯。
V
7.48
7.14
8.25
7.88
9.02
8.61
10.0
9.55
11.0
10.5
12.1
11.6
13.2
12.6
14.3
13.7
16.5
15.8
17.6
16.8
19.8
18.9
22.0
21.0
24.2
23.1
26.4
25.2
29.7
28.4
33.0
31.5
36.3
34.7
39.6
37.8
42.9
41.0
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.6
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100.0
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
评级
STANDOFF
电压
V
WM
V
5.50
5.80
6.05
6.40
6.63
7.02
7.37
7.78
8.10
8.55
8.92
9.40
9.72
10.2
10.5
11.1
12.1
12.8
12.9
13.6
14.5
15.3
16.2
17.1
17.8
18.8
19.4
20.5
21.8
23.1
24.3
25.6
26.8
28.2
29.1
30.8
31.6
33.3
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
最大
待机
当前
I
D
@ V
WM
µA
1000
1000
500
500
200
200
50
50
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
夹紧
电压
V
C
@ I
PP
V
10.8
10.5
11.7
11.3
12.5
12.1
13.8
13.4
15.0
14.5
16.2
15.6
17.3
16.7
19.0
18.2
22.0
21.2
23.5
22.5
26.5
25.2
29.1
27.7
31.9
30.6
34.7
33.2
39.1
37.5
43.5
41.4
47.7
45.7
52.0
49.9
56.4
53.9
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
108
103
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
mA
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
A
139
143
128
132
120
124
109
112
100
103
93
96
87
90
79
82
68
71
64
67
56.5
59.5
51.5
54
47
49
43
45
38.5
40
34.5
36
31.5
33
29
30
26.5
28
24
25.3
22.2
23.2
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.7
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.4
12.0
10.4
11.0
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
最大
温度
第五COEF网络cient
( BR )
α
V( BR )
%/ C
.057
.057
.061
.061
.065
.065
.068
.068
.073
.073
.075
.075
.078
.078
.081
.081
.084
.084
.086
.086
.088
.088
.090
.090
.092
.092
.094
.094
.096
.096
.097
.097
.098
.098
.099
.099
.100
.100
.101
.101
.101
.101
.102
.102
.103
.103
.104
.104
.104
.104
.105
.105
.105
.105
.106
.106
.106
.106
.107
.107
.107
.107
.107
.107
o
1N5629直通1N5665A
版权
2002
2003年11月6日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
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1500 WATT单向
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
JEDEC
TYPE
号码*
1N5661
1N5661A
1N5662
1N5662A
1N5663
1N5663A
1N5664
1N5664A
1N5665
1N5665A
击穿
电压
V
( BR )
@ I
( BR )
分钟。
V
135
143
144
152
153
162
162
171
180
190
击穿
当前
I
( BR )
马克斯。
V
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
评级
STANDOFF
电压
V
WM
V
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
最大
待机
当前
I
D
@ V
WM
µA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
夹紧
电压
V
C
@ I
PP
V
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
A
7.0
7.2
6.5
6.8
6.2
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
最大
温度
第五COEF网络cient
( BR )
α
V( BR )
%/ C
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
o
WWW .
Microsemi的
.C
OM
*无后缀= 10 %的公差,后缀为A = 5 %的容差。后缀也可以在军事合格的类型有JAN , JANTX ,或JANTXV前缀。
注: V
( BR )
之后,我被测量
( BR )
已申请< 300毫秒。
正向电压
V
F
在100安培峰值8.3毫秒为3.5伏特最大值。
符号
V
WM
V
( BR )
V
C
符号定义&
德网络nition
断态电压:施加反向电压,以确保非导电状态。 (见注1 )
击穿电压:这是击穿电压器件将参展25
o
C
最大钳位电压:最大峰值电压出现在TVS当经受
峰值脉冲电流在1毫秒的时间间隔。的峰值脉冲电压的电压上升的组合
由于两个串联电阻和热上升和正温度系数(
α
V( BR )
)
峰值脉冲电流:脉冲期间的峰值电流(参见图2 )
峰值脉冲功率:如用V的乘积决定的脉冲功率
C
PP
待机电流:在断态电压电流(V
WM
)
击穿电流:用于测量击穿电压电流(V
( BR )
)
I
PP
P
PP
I
D
I
( BR )
注1: TVS是根据评为“断态电压”V通常选择
WM
这应该是等于或大于直流或
连续峰值工作电压电平。
图的
100
峰值脉冲功率(P
PP
)在千瓦
指数波形
(见图2)
10
脉冲电流(I
P
)中的余百分
PP
1N5629直通1N5665A
5629直通1N5665A
峰值
方波脉冲
1.0
I
PP
脉冲持续时间(TP)是
定义为点
I
P
衰减到峰值的50%的
值(我
PP
).
0.1Kw
100ns
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
脉冲时间( TP)的
图。 1 -
非宋衍涛额定峰值脉冲功率曲线
注:峰值功率定义为峰值电压乘以电流峰值
时间(T ),以毫秒为单位
图。 2
对于指数型浪涌脉冲波形
版权
2002
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1500 WATT单向
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
稳态功耗(瓦)
WWW .
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.C
OM
T
L
•焊接温度
o
C
图。 3
稳态功率降额曲线
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流I(浪涌)
o
在25°C等级百分比
T
A
环境温度℃
图。 4
降额曲线
o
包装尺寸
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
英寸
最大
--
.235
.315
.350
1.250
--
1.250
--
--
.210
--
.090
.026
.035
MILLIMETERS
最大
--
5.97
8.001
8.890
31.750
--
31.750
--
--
5.334
--
2.286
.660
.889
1N5629直通1N5665A
5629直通1N5665A
DO-13
(DO-202AA)
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

JANTX1N5637A

1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
19 MICROSEMI

JANTX1N5637ATR

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN
1 MICROSEMI

JANTX1N5638

1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
16 MICROSEMI

JANTX1N5638A

1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
21 MICROSEMI

JANTX1N5639

1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
30 MICROSEMI

JANTX1N5639A

1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
40 MICROSEMI