1N5629直通1N5665A
1500 WATT单向
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
描述
这种流行的瞬态电压抑制器( TVS)系列1N5629直通
1N5665A是JEDEC注册选择单向装置。所有
有1500相同的高额定峰值脉冲功率W和极快的
响应时间。它们也可用于军用合格的选择为可用
在功能部分说明。它们最常用于
保护免受电感式开关瞬变的环境,
射频感应效果,或者引起继发闪电效果的发现
较低的水平激增IEC61000-4-5的。它们也可用于非常成功
保护机载航空电子设备和电气系统。由于他们的反应
时间几乎是瞬间的,他们也可以从ESD和EFT保护每
IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
(DO-202AA)
特点
•
单向TVS系列通孔安装
•
瞬态抑制高达1500瓦特@ 10/1000微秒
(参见图1)
•
瞬态钳位在不到100微微秒
•
工作电压(V
WM
)范围5 V至171 V
•
气密密封的DO- 13金属封装
•
也可用于JAN / TX /热力膨胀阀的军事资历
在严格的公差“A ”后缀每MIL- PRF-设备
五百分之一万九千五百通过将JAN , JANTX ,或JANTXV
前缀,如JANTXV1N5629A等。
•
对于同一个DO- 13封装的双向TVS ,
参见单独的数据表中的1N6036 - 1N6072A
系列(也是军事合格)
•
表面贴装相当于包也可作为
SMCJ5.0 - SMCJ170CA或SMCG5.0 - SMCG170CA
在单独的数据表(咨询工厂其他
表面贴装选项)
•
在可用的塑料轴向引线等效
1N6267 - 1N6303A系列单独的数据表
应用/优势
•
保护开关瞬态和感应RF
•
符合IEC 61000-4-2和-4-4 ESD & EFT保护
•
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
42欧姆源阻抗:
第1类: 1N5629到1N5665A
第2类: 1N5629到1N5663A
第3类: 1N5629到1N5655A
第四类: 1N5629到1N5648A
•
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
12欧姆源阻抗:
第1类: 1N5629到1N5658A
第2类: 1N5629到1N5651A
第3类: 1N5629到1N5643A
第四类: 1N5629到1N5636A
•
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
2欧姆源阻抗:
第2类: 1N5629到1N5642A
第3类: 1N5629到1N5635A
•
每Microsemi的MicroNote 050天生辐射硬
最大额定值
•
1500瓦为10/1000
µs
用0.01%的重复率或
o
以下*
在铅温度(T
L
) 25℃ (参照图1,图2 , & 4)
•
操作&存储温度: -65
o
到+175
o
C
•
热电阻: 50
o
C / W交界处领导在
从主体或110 0.375英寸( 10mm)的
o
C / W结到
2
安装在FR4印刷电路板与4毫米当环境
铜垫(1盎司)和跟踪宽1毫米,长25毫米
•
DC功耗
*
: 1瓦在T
L
< 125
o
C 3/8” (10
毫米)的机身(参见图3降额和下面的说明)
•
正向浪涌电流:200安培8.3ms的正弦半波
波在T
A
= +25
o
C
•
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
•
•
机械及包装
案例: DO - 13 ( DO- 202AA ) ,焊接,密封
密封的金属和玻璃
表面处理:所有的外部金属表面的锡铅
镀每MIL -STD- 750方法焊
2026
极性:负极连接情况和极性
通过二极管符号表示
标记:部件号和极性二极管符号
重量:2.3克。 (约)
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5629直通1N5665A
5629直通1N5665A
•
•
•
•
•
*
TVS器件通常不用于直流功耗,相反,却等于或小于其额定隔绝电压操作
(V
WM
)除了瞬变简要驱动设备进入雪崩击穿(V
BR
到V
C
区域)。
版权
2002
2003年11月6日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1N5629直通1N5665A
1500 WATT单向
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
JEDEC
TYPE
号码*
1N5661
1N5661A
1N5662
1N5662A
1N5663
1N5663A
1N5664
1N5664A
1N5665
1N5665A
击穿
电压
V
( BR )
@ I
( BR )
分钟。
V
135
143
144
152
153
162
162
171
180
190
击穿
当前
I
( BR )
马克斯。
V
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
评级
STANDOFF
电压
V
WM
V
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
最大
待机
当前
I
D
@ V
WM
µA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
夹紧
电压
V
C
@ I
PP
V
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
A
7.0
7.2
6.5
6.8
6.2
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
最大
温度
第五COEF网络cient
( BR )
α
V( BR )
%/ C
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
.108
o
WWW .
Microsemi的
.C
OM
*无后缀= 10 %的公差,后缀为A = 5 %的容差。后缀也可以在军事合格的类型有JAN , JANTX ,或JANTXV前缀。
注: V
( BR )
之后,我被测量
( BR )
已申请< 300毫秒。
正向电压
V
F
在100安培峰值8.3毫秒为3.5伏特最大值。
符号
V
WM
V
( BR )
V
C
符号定义&
德网络nition
断态电压:施加反向电压,以确保非导电状态。 (见注1 )
击穿电压:这是击穿电压器件将参展25
o
C
最大钳位电压:最大峰值电压出现在TVS当经受
峰值脉冲电流在1毫秒的时间间隔。的峰值脉冲电压的电压上升的组合
由于两个串联电阻和热上升和正温度系数(
α
V( BR )
)
峰值脉冲电流:脉冲期间的峰值电流(参见图2 )
峰值脉冲功率:如用V的乘积决定的脉冲功率
C
我
PP
待机电流:在断态电压电流(V
WM
)
击穿电流:用于测量击穿电压电流(V
( BR )
)
I
PP
P
PP
I
D
I
( BR )
注1: TVS是根据评为“断态电压”V通常选择
WM
这应该是等于或大于直流或
连续峰值工作电压电平。
图的
100
峰值脉冲功率(P
PP
)在千瓦
指数波形
(见图2)
10
脉冲电流(I
P
)中的余百分
PP
1N5629直通1N5665A
5629直通1N5665A
峰值
方波脉冲
1.0
I
PP
脉冲持续时间(TP)是
定义为点
I
P
衰减到峰值的50%的
值(我
PP
).
0.1Kw
100ns
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
脉冲时间( TP)的
图。 1 -
非宋衍涛额定峰值脉冲功率曲线
注:峰值功率定义为峰值电压乘以电流峰值
时间(T ),以毫秒为单位
图。 2
对于指数型浪涌脉冲波形
版权
2002
2003年11月6日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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