MAX34334CSE 第1页-第3页 PDF中文翻译页面详情预览
1N746通1N759A , -1,
1N4370直通1N4372A , -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5
瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择
标准的5 %或10%的公差,以及确定了更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35
齐纳二极管也可提供由内部冶金,债券期权
添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月, JANTX ,并JANTXV
军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品,满足更高和更低的功率应用。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746
直通1N4372A系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
一月, JANTX ,并JANTXV也可
每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的
JAN , JANTX ,或JANTXV前缀部件号
筛选所需的水平,以及-1“后缀; (例如
JANTX1N751A -1, JANTXV1N758C -1等)的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN , JANTX ,并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 (参见单独的数据表)
商用表面贴装当量可作为
MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A
包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格
包(咨询工厂等)
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
选择从2.4至12 V
标准电压容差的正/负5 %
带有后缀的身份证明和10 % ,无后缀
可在正负2 %的容差
或1%的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容(参见图3)
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度: -65
º
C至+175
º
C
热电阻: 250
º
C / W交界处领导在3/8
(10毫米)的车身引线长度,或310
º
C / W结到
周围安装在FR4印刷电路板时( 1盎司铜)
为4 mm
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米,长
25 mm
稳定状态功率: 0.5瓦特在T
L
& LT ; 50
o
Ç 3/8英寸
从主体(10毫米)或在T 0.48 W¯¯
A
& LT ; 25
º
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力(参见图1 )
正向电压@ 200毫安: 1.1伏特
焊接温度: 260
º
下进行10秒(最大)
机械及包装
案例:全密封轴向引线玻璃
DO- 35 (DO- 204AH )包
终端:信息,锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
标记:部件号
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
重量: 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N746 -759A
1N4370 - 4372A (DO- 35)的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1N746通1N759A , -1,
1N4370直通1N4372A , -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
(注2 )
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
(注3)
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25ºC
µA
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150ºC
µA
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
(注4 )
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 :
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 % 。后缀字母A表示±5 %的容差;后缀
字母C表示+/- 2 % ;而后缀字母D表示+/- 1 %的容差。
注2 :
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 :
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
, 60厘泊,有效值交流电流等于10 %
I
ZT
( 2毫安AC) 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 :
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数% / ºC
1N746 -759A
1N4370 - 4372A (DO- 35)的
o
T
L
- 引线温度( C) 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压(伏)
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第2页
1N746通1N759A , -1,
1N4370直通1N4372A , -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
INCH :在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
(典型值)
1N746 -759A
1N4370 - 4372A (DO- 35)的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第3页
相关元器件产品Datasheet PDF文档

JANTX1N750CUR

SILICON 400 mW ZENER DIODES
0 MICROSEMI

JANTX1N750CUR

SILICON 400 mW ZENER DIODES
3 MICROSEMI

JANTX1N750CUR-1

SILICON 400 mW ZENER DIODES
6 MICROSEMI

JANTX1N750CUR-1

SILICON 400 mW ZENER DIODES
0 MICROSEMI

JANTX1N750CURTR

SILICON 400 mW ZENER DIODES
0 MICROSEMI

JANTX1N750CURTR

SILICON 400 mW ZENER DIODES
6 MICROSEMI