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TCTU0E156M8R  TCTU0G475M8R  TCTPL1V476M8R  TCTU0J105M8R  TCTPL1V105M8R  TCTU0G685M8R  BD243C  TCTU0J225M8R  TCTU0G106M8R  BD244B  
JANTXV1N3016DTR 1瓦的金属外壳稳压二极管 (1 WATT METAL CASE ZENER DIODES)
.型号:   JANTXV1N3016DTR
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描述: 1瓦的金属外壳稳压二极管
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
文件大小 :   192 K    
页数 : 3 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
1N3016B通1N3051B
1瓦的金属外壳稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
这座历史悠久的齐纳二极管系列为1N3016 1N3051直通
JEDEC注册的金属外壳DO- 13封装提供了一个玻璃
密封为6.8〜 200伏。它也非常适合用于高可靠性
应用场合是一月, JANTX ,并JANTXV军事可用
资格。较低的电压也可在1N3821直通
1N3830系列( 3.3 V至7.5 V) ,在同一个包中(参见单独的数据
表) 。 Microsemi的还提供了许多其他稳压二极管产品的
其他多种封装,包括表面贴装。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
特点
齐纳电压范围: 6.8V至200V
密封DO- 13金属封装
内部焊接结合建设。
一月, JANTX , JANTXV也可
每MIL - PRF19500 / 115资格加入的
JAN , JANTX ,或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望水平,例如JANTX1N3016B ,
JANTXV1N3051B等。
表面贴装也可与1N3016BUR - 1
通1N3051BUR - 1系列单独的数据表
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
多种选择,从6.8到200 V
严格的电压容差可用
低反向(漏)电流
不敏感的静电放电
密封金属封装
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作结存储温度:
-65
o
C至+175
o
C
热电阻: 50
o
C / W *交界处领导
在从主体或110 0.375英寸( 10mm)的
o
C / W
当引线安装在FR4结点到环境
PC板4毫米
2
铜垫(1盎司)和轨道
宽1毫米,长25毫米
DC功耗
*
: 1.0瓦在T
L
< 125
o
C 3/8”
(10毫米)的机构或1.0瓦在T
L
< +65
o
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
抵抗上述(也参见图1)
正向电压@ 200毫安: 1.5伏特。
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
案例: DO - 13 ( DO- 202AA ) ,焊接,密封
密封的金属和玻璃
表面处理:所有外部表面是锡铅(铅/锡)
镀每MIL -STD- 750方法焊
2026
极性:负极连接情况。
重量:2.3克。
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
1N3016B - 1N3051B
*
为进一步装配基准,从结热阻金属壳体可减小到
& LT ;
20
o
C / W
当直接在散热器安装DO - 13金属外壳。
版权
2003
2003年11月3日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
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