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LC6.5通LC170A
1500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
描述
这种密封瞬态电压抑制器( TVS )产品系列
包括串联和相反方向上的整流二极管元件,以实现低
下面100pF的电容性能(见图2)。 TVS水平低
电容可被用来保护在较高频率的应用
涉及次级感应开关的环境或电气系统
每IEC61000-4-5雷电影响以及RTCA / DO- 160D或ARINC-429为
机载航空电子设备。几乎瞬时的响应,他们也从保护
ESD和每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 EFT 。如果双极瞬间
能力是必需的,其中两个低电容TVS装置可以在被使用
平行在相反方向(反
-
平行)的完整交流保护如图所示
在图6中。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
(DO-202AA)
特点
单向低电容TVS系列灵活
通孔安装(双向见图4)
瞬态抑制高达1500瓦特@ 10/1000微秒
(参见图1) *
瞬态钳位在不到100微微秒
工作电压(V
WM
)范围6.5 V至170 V
气密密封的DO- 13金属封装
按照MIL- PRF-筛选选项
19500为JAN , JANTX , JANTXV和JANS也
可通过加入MQ , MX ,MV ,MSP前缀
分别零件编号,例如MXLC6.5A等。
表面贴装相当于包也可作为
SMCJLCE6.5 - SMCJLCE170A或SMCGLCE6.5 -
SMCGLCE170A在单独的数据表(咨询
工厂其他表面贴装选项)
在可用的塑料轴向引线等效
LCE6.5 - LCE170A一系列单独的数据表
应用/优势
保护开关瞬态和感应RF
保护每架飞机选择快速数据传输速率线
在RTCA /电平波形DO- 160D & ARINC 429
符合IEC 61000-4-2和-4-4 ESD & EFT保护
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
42欧姆源阻抗:
第1类: LC6.5到LC170A
第2类: LC6.5到LC150A
第3类: LC6.5到LC70A
第四类: LC6.5到LC36A
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
12欧姆源阻抗:
第1类: LC6.5到LC90A
第2类: LC6.5到LC45一
第3类: LC6.5到LC22A
第四类: LC6.5到LC11A
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
2欧姆源阻抗:
第2类: LC6.5到LC20A
第3类: LC6.5到LC10A
每Microsemi的MicroNote 050天生辐射硬
最大额定值
1500瓦,在10/1000
µs
用0.01%的重复率或
o
以下*
在铅温度(T
L
) 25℃ (参照图1,图2 , & 4)
操作&存储温度: -65
o
到+175
o
C
热电阻: 50
o
C / W (典型值)交界处
导致从身体或110 0.375英寸(10毫米)
o
C / W
安装在FR4印刷电路板时,结点到环境
为4 mm
2
铜垫(1盎司)和跟踪宽1毫米,
长25毫米
DC功耗
*
: 1瓦在T
L
< 125
o
C 3/8” (10
毫米)的机身(参见图3降额和下面的说明)
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
案例: DO - 13 ( DO- 202AA ) ,焊接,密封
密封的金属和玻璃
表面处理:所有的外部金属表面的锡铅
镀每MIL -STD- 750方法2026焊
极性:负极连接情况如图
二极管的符号(正负极正常运行)
标记:部件号和极性二极管符号
重量:2.3克。 (约)
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
LC6.5通LC170A
*
TVS器件通常不用于对直流功率耗散,并且代替操作< V
WM
(额定断态电压) ,除了瞬变简要
驱动装置进入雪崩击穿(V
BR
到V
C
TVS的元件的区域) 。另请参阅图3和图4为额定峰值进一步的保护细节
分别脉冲电源为单向和双向配置。
版权
2002
2004年10月21日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
LC6.5通LC170A
1500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
电气特性@ 25
o
C
击穿电压
反向
STANDOFF
电压
最大
待机
当前
最大
夹紧
电压
最大
PEAK
脉冲
当前
10/1000 µs
最大
电容
工作
闭塞
电压
闭塞
泄漏
当前
PEAK
闭塞
电压
WWW .
Microsemi的
.C
OM
Microsemi的
部分
LC6.5
LC6.5A
LC7.0
LC7.0A
LC7.5
LC7.5A
LC8.0
LC8.0A
LC8.5
LC8.5A
LC9.0
LC9.0A
LC10
LC10A
LC11
LC11A
LC12
LC12A
LC13
LC13A
LC14
LC14A
LC15
LC15A
LC16
LC16A
LC17
LC17A
LC18
LC18A
LC20
LC20A
LC22
LC22A
LC24
LC24A
LC26
LC26A
LC28
LC28A
LC30
LC30A
LC33
LC33A
LC36
LC36A
LC40
LC40A
LC43
LC43A
LC45
LC45A
LC48
LC48A
LC51
LC51A
V
WM
6.5
6.5
7.0
7.0
7.5
7.5
8.0
8.0
8.5
8.5
9.0
9.0
10
10
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
17
18
18
20
20
22
22
24
24
26
26
28
28
30
30
33
33
36
36
40
40
43
43
45
45
48
48
51
51
V
( BR )
@
最大
I
D @
V
WM
µA
1000
1000
500
500
250
250
100
100
50
50
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
C
@ I
PP
12.3
11.2
13.3
12.0
14.3
12.9
15.0
13.6
15.9
14.4
16.9
15.4
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
20.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
58.0
53.3
64.3
58.1
71.4
64.5
76.7
69.4
80.3
72.7
85.5
77.4
91.1
82.4
7.22
7.22
7.78
7.78
8.33
8.33
8.89
8.89
9.44
9.44
10.0
10.0
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
44.4
44.4
47.8
47.8
50.0
50.0
53.3
53.3
56.7
56.7
8.82
7.98
9.51
8.60
10.2
9.21
10.9
9.83
11.5
10.4
12.2
11.1
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
54.3
49.1
58.4
52.8
61.1
55.3
65.1
58.9
69.3
62.7
I
( BR )
mA
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
I
PP
@
@ 0伏特,
F = 1 MHz的
pF
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
V
WIB
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
150
150
150
150
150
150
150
150
I
IB
@
V
WIB
µA
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
安培
100
100
100
100
100
100
100
100
94
100
89
97
80
88
74
82
68
75
63
70
58
65
56
61
52
57
49
54
46
51
42
46
38
42
35
39
32
36
30
33
28
31
25.4
28.1
23.3
25.8
21.0
23.3
19.5
21.6
18.7
20.6
17.5
19.4
16.5
18.2
V
PIB
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
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LC6.5通LC170A
版权
2002
2004年10月21日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
LC6.5通LC170A
1500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
V
WIB
I
IB
@
V
WIB
V
( BR )
V
WM
V
PIB
I
( BR )
10/1000 µs
µA
pF
安培
µA
mA
最大
LC54
54
60.0
73.3
1
5
96.3
15.6
100
150
10
200
LC54A
54
60.0
66.3
1
5
87.1
17.2
100
150
10
200
LC58
58
64.4
78.7
1
5
103.0
14.6
100
150
10
200
LC58A
58
64.4
71.2
1
5
93.6
16.0
100
150
10
200
LC60
60
66.7
81.5
1
5
107.0
14.0
90
150
10
200
LC60A
60
66.7
73.7
1
5
96.8
15.5
90
150
10
200
LC64
64
71.1
86.9
1
5
114.0
13.2
90
150
10
200
LC64A
64
71.1
78.6
1
5
103.0
14.6
90
150
10
200
LC70
70
77.8
95.1
1
5
125
12.0
90
150
10
200
LC70A
70
77.8
86.0
1
5
113
13.3
90
150
10
200
LC75
75
83.3
102.0
1
5
134
11.2
90
150
10
200
LC75A
75
83.3
92.1
1
5
121
12.4
90
150
10
200
LC80
80
88.7
108
1
5
142
10.6
90
150
10
200
LC80A
80
88.7
98.0
1
5
129
11.6
90
150
10
200
LC90
90
100
122
1
5
160
9.4
90
300
10
200
LC90A
90
100
111
1
5
146
10.3
90
300
10
200
LC100
100
111
136
1
5
179
8.4
90
300
10
200
LC100A
100
111
123
1
5
162
9.3
90
300
10
200
LC110
110
122
149
1
5
196
7.7
90
300
10
400
LC110A
110
122
135
1
5
178
8.4
90
300
10
400
LC120
120
133
163
1
5
214
7.0
90
300
10
400
LC120A
120
133
147
1
5
193
7.8
90
300
10
400
LC130
130
144
176
1
5
231
6.5
90
300
10
400
LC130A
130
144
159
1
5
209
7.2
90
300
10
400
LC150
150
167
204
1
5
268
5.6
90
300
10
400
LC150A
150
167
185
1
5
243
6.2
90
300
10
400
LC160
160
178
218
1
5
287
5.2
90
300
10
400
LC160A
160
178
197
1
5
259
5.8
90
300
10
400
LC170
170
189
231
1
5
304
4.9
90
300
10
400
LC170A
170
189
209
1
5
275
5.4
90
300
10
400
注意:
根据反“断态电压” TVS通常选择(V
WM
)应该是等于或大于直流或连续
峰值工作电压电平。
Microsemi的
部分
反向
STANDOFF
电压
击穿电压
@
最大
待机
当前
最大
夹紧
电压
I
D @
V
WM
V
C
@ I
PP
最大
PEAK
脉冲
当前
电容
tance
I
PP
@
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工作
闭塞
电压
闭塞
泄漏
当前
PEAK
闭塞
电压
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
LC6.5通LC170A
图1
峰值脉冲功率与
脉冲时间(T
W
)在
µs
版权
2002
2004年10月21日REV C
脉冲时间( TW )在
µs
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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LC6.5通LC170A
1500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
应用原理图
TVS的低电容装置结构示于图2中作为另外的选项为单向应用,一个额外的低
电容的整流二极管,可以并行在相同的极性方向与TVS用作如图3所示。在应用中,随机
瞬变高电压发生,这将防止反向瞬态而损坏内部低电容的整流二极管,还提供一个
低电压导通方向。所添加的整流二极管应该是相似的低电容,并且还具有更高的反向电压额定值
比TVS钳位电压V
C
。 Microsemi的推荐整流部件号是“ LCR80 ”为图5中的应用程序。如果使用两个
(2)在反并联于双向应用低电容TVS器件,这增加了对两个方向上的保护功能(包括
反向每个整流二极管)也提供了。在图3和图4的单向和双向配置将两者导致的两倍
图2的电容。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图2
TVS内部低
容二极管
科幻gure 3
可选单向
配置( TVS和
独立的整流二极管)
并行)
图4
可选双向
配置(两台电视
在反平行装置)
包装尺寸
LC6.5通LC170A
DO- 13(或DO- 202AA )
版权
2002
2004年10月21日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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