MAX34334CSE 第1页-第2页 PDF中文翻译页面详情预览
MM3Z5518通MM3Z5546
斯科茨代尔区划
低电压雪崩二极管
产品预览
特点
低齐纳噪声指明
低阻抗齐纳
低漏电流
SOD323封装
SOD323封装
WWW.
Microsemi的
.
COM
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 150°C
功率: 200mW的
每行的电气特性@ 25°C
除非另有说明
部分
(注1 )
设备
记号
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
而ZT
(注2 )
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
TEST
当前
I
ZT
MADC
马克斯。反向漏
最大齐纳
当前
阻抗
B- C D后缀
V
R
- 伏特
Z
ZT
@ I
ZT
I
R
μAdc
(注3)
(注4 )非& A B C D
后缀后缀
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.0
1
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.9
0.9
0.9
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
BCD
B C D后缀
苏FFI X
马克斯。噪音
最大
密度
因素
V
Z
DC ZENEER
在我
Z
=250 µA
?V
Z
当前
当前
N
D
I
ZL
I
Z个m
(微伏
(注6 )
MADC
MADC
每平方
(注5 )
ROOT循环)
0.5
2.0
57.5
0.90
52.5
49.0
43.0
40.5
37.5
34.0
30.5
28.0
25.5
23.0
21.0
19.0
17.5
16.0
14.5
13.5
12.5
12.0
11.0
10.5
10.0
9.5
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
4.0
4.0
5.0
10
15
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.0 1
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
包装尺寸
MM3Z5518
MM3Z5519
MM3Z5520
MM3Z5521
MM3Z5522
MM3Z5523
MM3Z5524
MM3Z5525
MM3Z5526
MM3Z5527
MM3Z5528
MM3Z5529
MM3Z5530
MM3Z5531
MM3Z5532
MM3Z5533
MM3Z5534
MM3Z5535
MM3Z5536
MM3Z5537
MM3Z5538
MM3Z5539
MM3Z5540
MM3Z5541
MM3Z5542
MM3Z5543
MM3Z5544
MM3Z545
MM3Z5546
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
英寸
MILLIMETERS
最小最大
最大
--
.043
--
1.092
--
.004
--
.102
--
.006
--
.152
.010 .016
.254
.406
.003 .006
.076
.152
.063 .075 1.600 1.905
.045 .057 1.143 1.448
.094 .106 2.388 2.692
笔记
MM3Z5518-MM3Z5546
1
2
3
4
公差和电压指示:显示的类型零件编号为+/- 20 %,有保证的限制只有V
Z
, I
R
V
F
。台带有后缀的±10%,有保证的限制只有V
Z
, I
R
和V
F
。单位担保限额为所有六个参数
5.0 %的单位 - 由B后缀为+ /表示。 Ç后缀为+/- 2.0 %和D后缀为+/- 1.0 % 。
齐纳(V
Z
)电压测量:标称稳压电压测量与热平衡装置交界
在25℃时的余指定当前环境温度
ZT
.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导:齐纳阻抗是从60赫兹的电压,这会导致当一交流电流衍生
具有有效值等于直流齐纳电流的10% (我
ZT
)被叠加在我
ZT
.
反向漏电流(I
R
):
反向漏电流保证,并在V测
R
如在表中所示。
最大调节器电流(I
ZM
)所示是基于5.0%式单元的最大电压的最大电流;
因此,它仅适用于BC或D后缀设备。实际我
ZM
对于任何设备可能不超过200毫瓦的值
由实际的V除以
Z
该装置。
最大调整率( ? V
Z
): ? V
Z
是我Vz的之间的最大区别
ZT
和V
Z
在我
ZL
用装置测量
结在热平衡。
5
6
版权
©
2001
MSCXXXX.PDF 2001年2月12日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
MM3Z5518通MM3Z5546
斯科茨代尔区划
低电压雪崩二极管
产品预览
图的
WWW.
Microsemi的
.
COM
P
d
最大耗散
500
100
400
典型电容单位为pF
60
40
300
200
20
100
10
8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
铅温度( ℃)
4
POWER-温度
降额曲线
2
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220
齐纳电压
电容与齐纳电压
(典型值)
V
Z
?V
Z
反向
电压
(伏)
I
ZL
I
ZT
I
R
@ V
R
I
Z
(MA )
V
F
(伏)
I
F
(MA )
正向特性
图的
反向特性
I
ZM
齐纳二极管的特性
与符号识别
版权
©
2001
MSCXXXX.PDF 2001年2月12日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第2页
相关元器件产品Datasheet PDF文档

MM3Z5526CE3

Zener Diode, 6.8V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SOD-323, 2 PIN
0 MICROSEMI

MM3Z5526DE3

Zener Diode, 6.8V V(Z), 1%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SOD-323, 2 PIN
1 MICROSEMI