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描述:
M38510/31005B2A  DT0-3B050  DT05D100  M38510/31004CDX  M38510/31005BDC  M38510/31004SCB  DT05A340  DT03EX  DT05D250  M38510/31005BAC  
2N4391_TO-18 单N沟道JFET开关 (Single N-Channel JFET switch)
.型号:   2N4391_TO-18
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描述: 单N沟道JFET开关
Single N-Channel JFET switch
文件大小 :   294 K    
页数 : 1 页
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品牌   MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
购买 :   
   
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100%
2N4391
单N沟道JFET开关
线性系统替换停产的Siliconix 2N4391
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N4391 
低导通电阻
r
DS ( ON) =
≤ 30Ω 
低栅工作电流
I
D(关闭)
= 5pA 
快速开关
t
(上)
 ≤= 15ns 
2N4391优点:
1
绝对最大额定值
 @ 25°C (unless otherwise noted) 
低电压错误
最高温度
高速模拟电路的性能
储存温度
‐65°C to +200°C 
可以忽略不计“关错误”,出色的精度
良好的频率响应,低毛刺
工作结温
‐55°C to +200°C 
消除了额外的缓冲
最大功率耗散
连续功率耗散
1800mW 
2N4391应用范围:
最大电流
模拟开关
Gate Current (Note 1) 
I
G
 = 50mA 
菜刀,
采样和保持
最大电压不
通常情况下“开”开关,限流器
栅漏电压/门源电压
‐40V 
2N4391 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
 
门源击穿电压
‐40 
‐‐ 
‐‐ 
 
I
= ‐1µA,   V
DS
 = 0V 
V
GS ( OFF )
 
门源截止电压
‐4 
‐‐ 
‐10 
V
DS
 = 20V, I
D
 = 1nA 
V
GS ( F)
 
门源正向电压
‐‐ 
0.7 
                   I
=  1mA,   V
DS
 = 0V 
V
DS ( ON)
 
漏极至源极电压上
‐‐ 
0.25 
‐‐ 
V
GS 
= 0V,   I
D
 = 3mA 
V
DS ( ON)
 
漏极至源极电压上
‐‐ 
0.3 
‐‐ 
 
V
GS 
= 0V,   I
D
 = 6mA 
V
DS ( ON)
 
漏极至源极电压上
‐‐ 
0.35 
0.4 
 
V
GS 
= 0V,   I
D
 = 12mA 
2
I
DSS
 
漏极至源极饱和电流
 
50 
‐‐ 
150 
mA 
V
DS
 = 20V, V
GS 
= 0V 
I
GSS
 
门反向电流
‐‐ 
‐5 
‐100 
 
V
GS 
= ‐20V,  V
DS
 = 0V 
I
G
 
 
I
D(关闭)
 
 
r
DS ( ON)
 
2N4391 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
SYMBOL
该2N4391拥有许多优越的
JFET的特性,这使得它一个很好的选择
为要求苛刻的模拟开关应用以及
专业功放电路。
g
fs
 
g
os
 
r
DS ( ON)
 
C
国际空间站
 
C
RSS
 
C
RSS
 
C
RSS
 
e
n
 
SYMBOL
t
D(上)
 
t
r
 
t
D(关闭)
 
t
f
 
等效输入噪声电压
特点】
 
启动时间
 
关闭时间
正向跨导
输出电导
输入电容
 
反向传输电容
‐‐ 
‐‐ 
mS 
µS 
Ω 
 
 
pF 
25 
‐‐ 
12 
3.3 
3.2 
2.8 
TYP †
13 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
MIN †
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
漏极至源极导通电阻
‐‐ 
30 
14 
‐‐ 
‐‐ 
3.5 
‐‐ 
MAX`
15 
20 
15 
内华达州/ √Hz的
单位“
 
 
ns 
 
条件“
V
DS
 = 20V,  I
D
 = 1mA,  f = 1kHz 
V
DS
 = 20V,  I
D
 = 1mA,  f = 1kHz 
V
GS
 = 0V,  I
D
 = 0A,  f = 1kHz 
V
DS
 = 20V,   V
GS
 = 0V,  f = 1MHz 
V
DS
 = 0V,   V
GS
 = ‐5V,  f = 1MHz 
V
DS
 = 0V,   V
GS
 = ‐7V,  f = 1MHz 
V
DS
 = 0V,   V
GS
 = ‐12V,  f = 1MHz 
V
DS
 = 10V,  I
D
 = 10mA,  f = 1kHz 
2N4391 SWITCHING ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
 
 
V
DD
 = 10V,   V
GS (H )
 = 0V 
注:1。绝对额定值的限制值,超过该适用性可能受到损害
2.脉冲测试: PW ≤ 300μS ,占空比≤ 3 %
2N4391 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                                         SWITCHING CIRCUIT 
V
GS ( L)
 
‐12V 
 
TO- 18 (底视图)
R
L
 
800Ω 
 
I
D(上)
 
12mA 
 
 
 
 
可用的软件包:
 
 
 
2N4391的TO- 18
 
 
 
2N4391裸片。
 
 
 
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