SST110

N沟道JFET

线性系统替换停产的Siliconix SST110

这n沟道JFET的低噪音高优化

高性能交换。的部分是特别合适的

在低噪声音频放大器使用。采用SOT -23

包是非常适合于成本敏感的应用

和大批量生产。

（见包装信息） 。

特点是什么？

DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST110 

低导通电阻

r

DS （ ON） =

≤ 18Ω 

快速开关

t

（上）

 ≤ 4ns 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 

最高温度

储存温度

‐55°C to +150°C 

SST110优点：

工作结温

‐55°C to +150°C 

低导通电阻

最大功率耗散

低插入损耗

连续功率耗散

350mW 

低噪音

最大电流

SST110应用：

Gate Current (Note 1) 

50mA 

模拟开关

最大电压不

换向器

栅漏电压

V

GDS

 = ‐25V 

菜刀

门源电压

V

GSS

 = ‐25V 

 

 

SST110 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)

SYMBOL

特点】

MIN †

（典型值） *

MAX`

单位“

条件“

BV

GSS

 

门源击穿电压

‐25 

‐‐ 

‐‐ 

 

I

G 

= 1µA,   V

DS

 = 0V 

 

V

GS （ OFF ）

 

门源截止电压

‐0.5 

‐‐ 

‐4 

V

DS

 = 5V, I

D

 = 1µA 

V 

V

GS （ F）

 

门源正向电压

‐‐ 

0.7 

‐‐ 

I

G 

= 1mA,   V

DS

 = 0V 

I

DSS

 

Drain to Source Saturation Current (Note 2) 

10 

‐‐ 

‐‐ 

mA 

V

DS

 = 15V, V

GS 

= 0V 

I

GSS

 

门反向电流

‐‐ 

‐0.01 

‐3 

 

V

GS 

= ‐15V,  V

DS

 = 0V 

I

G

 

I

D（关闭）

 

r

DS （ ON）

 

 

SST110 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 

SYMBOL

g

fs

 

g

os

 

输出电导

‐‐ 

0.6 

‐‐ 

r

DS （ ON）

 

漏极至源极导通电阻

‐‐ 

‐‐ 

18 

Ω 

V

GS 

= 0V, I

D

 = 0A,  f = 1kHz 

C

国际空间站

 

输入电容

‐‐ 

60 

‐‐ 

 

V

DS

 = 0V, V

GS 

= 0V, f = 1MHz 

pF 

C

RSS

 

反向传输电容

‐‐ 

11 

‐‐ 

V

DS

 = 0V, V

GS 

= ‐10V, f = 1MHz 

e

n

 

等效噪声电压

‐‐ 

3.5 

‐‐ 

内华达州/ √Hz的

V

DS

 = 5V,  I

D

 = 10mA , f = 1kHz 

 

 

 

 

 

 

 

SST110 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 

SYMBOL

特点】

 

单位“

条件“

启动时间

开启上升时间

关闭时间

关闭下降时间

3 

1 

4 

18 

 

 

ns 

V

DD

 = 1.5V 

V

GS

(H) = 0V 

 

见开关电路

 

 

 

 

 

 

 

 

可用的软件包：

SST110采用SOT -23

SST110裸片。

请联系Micross全

包装及模具尺寸

SOT- 23 （顶视图）

t

D（上）

 

t

r

 

t

D（关闭）

 

t

f

 

注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该SST110适用性可能受到损害。注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％

                                                                                                                 

SST110 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                          

‐5V 

R

L

 

150Ω 

I

D（上）

 

10mA 

 

 

 

 

Micross组件欧洲

 

 

 

 

 

 

V

GS （ L）

 

切换测试电路

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电子邮件：

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网址：

http://www.micross.com/distribution

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