电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
VSA-0LPLE10FA  NMOA8100GFF-XX02-4003  NRC684K16  VSA-0LNLE10NC  NMOA8100GFF-XX02-5003  TPS72718DSET  NMOA8100GFF-XX02-2014  NMOA8100GFF-XX02-4002  TPS72715YFFR  TL2205EEBPBA  
SST111_SOT-23 N沟道JFET (N-CHANNEL JFET)
.型号:   SST111_SOT-23
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: N沟道JFET
N-CHANNEL JFET
文件大小 :   283 K    
页数 : 1 页
Logo:   
品牌   MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
购买 :   
   
PDF原版 中文翻译版  
100%
SST111
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST111
这n沟道JFET的低噪音高优化
高性能交换。的部分是特别合适的
在低噪声音频放大器使用。采用SOT -23
包是非常适合于成本敏感的应用
和大批量生产。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST111 
低栅极漏电流
5pA 
快速开关
t
(上)
 ≤ 4ns 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 
最高温度
储存温度
‐55°C to +150°C 
SST111优点:
工作结温
‐55°C to +135°C 
短采样&保持孔径时间
最大功率耗散
低插入损耗
连续功率耗散
350mW 
低噪音
最大电流
SST111应用:
Gate Current (Note 1) 
50mA 
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
 = ‐35V 
菜刀
门源电压
V
GSS
 = ‐35V 
 
 
SST111 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
 
门源击穿电压
‐35 
‐‐ 
‐‐ 
 
I
= 1µA,   V
DS
 = 0V 
 
V
GS ( OFF )
 
门源截止电压
‐3 
‐‐ 
‐10 
V
DS
 = 5V, I
D
 = 1µA 
V
GS ( F)
 
门源正向电压
‐‐ 
0.7 
‐‐ 
I
= 1mA,   V
DS
 = 0V 
I
DSS
 
Drain to Source Saturation Current (Note 2) 
20 
‐‐ 
‐‐ 
mA 
V
DS
 = 15V, V
GS 
= 0V 
I
GSS
 
门反向电流
‐‐ 
‐0.005 
‐1 
nA 
V
GS 
= ‐15V,  V
DS
 = 0V 
I
G
 
I
D(关闭)
 
r
DS ( ON)
 
 
SST111 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
SYMBOL
g
fs
 
g
os
 
输出电导
‐‐ 
25 
‐‐ 
µS 
r
DS ( ON)
 
漏极至源极导通电阻
‐‐ 
‐‐ 
30 
Ω 
V
GS 
= 0V, I
D
 = 0mA,  f = 1kHz 
C
国际空间站
 
输入电容
‐‐ 
12 
pF 
V
DS
 = 0V, V
GS 
= ‐10V, f = 1MHz 
 
C
RSS
 
反向传输电容
‐‐ 
e
n
 
等效噪声电压
‐‐ 
‐‐ 
内华达州/ √Hz的
V
DG
 = 10V,  I
D
 = 1mA , f = 1kHz 
 
 
 
 
 
 
 
SST111 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 
SYMBOL
特点】
 
单位“
条件“
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
15 
 
 
ns 
V
DD
 = 10V 
V
GS
(H) = 0V 
 
见开关电路
 
 
 
 
 
 
 
 
可用的软件包:
SST111采用SOT -23
SST111裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 (顶视图)
t
D(上)
 
t
r
 
t
D(关闭)
 
t
f
 
注1 - 绝对最大额定值的限制值,超过该SST111适用性可能受到损害。注2 - 脉冲测试: PW≤ 300微秒,占空比≤ 3 %
                                                                                                                 
SST111 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                          
‐12V 
R
L
 
800Ω 
I
D(上)
 
12mA 
 
 
 
 
Micross组件欧洲
 
 
 
 
 
 
V
GS ( L)
 
切换测试电路
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7