SST112

N沟道JFET

线性系统替换停产的Siliconix SST112

这n沟道JFET的低噪音高优化

高性能交换。的部分是特别合适的

在低噪声音频放大器使用。采用SOT -23

包是非常适合于成本敏感的应用

和大批量生产。

（见包装信息） 。

特点是什么？

DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST112 

低栅极漏电流

5pA 

快速开关

t

（上）

 ≤ 4ns 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted) 

最高温度

储存温度

‐55°C to +150°C 

SST112优点：

工作结温

‐55°C to +135°C 

短采样&保持孔径时间

最大功率耗散

低插入损耗

连续功率耗散

350mW 

低噪音

最大电流

SST112应用：

Gate Current (Note 1) 

50mA 

模拟开关

最大电压不

换向器

栅漏电压

V

GDS

 = ‐35V 

菜刀

门源电压

V

GSS

 = ‐35V 

 

 

SST112 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)

SYMBOL

特点】

MIN †

（典型值） *

MAX`

单位“

条件“

BV

GSS

 

门源击穿电压

‐35 

‐‐ 

‐‐ 

 

I

G 

= 1µA,   V

DS

 = 0V 

 

V

GS （ OFF ）

 

门源截止电压

‐1 

‐‐ 

‐5 

V

DS

 = 5V, I

D

 = 1µA 

V 

V

GS （ F）

 

门源正向电压

‐‐ 

0.7 

‐‐ 

I

G 

= 1mA,   V

DS

 = 0V 

I

DSS

 

Drain to Source Saturation Current (Note 2) 

5 

‐‐ 

‐‐ 

mA 

V

DS

 = 15V, V

GS 

= 0V 

I

GSS

 

门反向电流

‐‐ 

‐0.005 

‐1 

nA 

V

GS 

= ‐15V,  V

DS

 = 0V 

I

G

 

I

D（关闭）

 

r

DS （ ON）

 

 

SST112 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 

SYMBOL

g

fs

 

g

os

 

输出电导

‐‐ 

25 

‐‐ 

µS 

r

DS （ ON）

 

漏极至源极导通电阻

‐‐ 

‐‐ 

50 

Ω 

V

GS 

= 0V, I

D

 = 0mA,  f = 1kHz 

C

国际空间站

 

输入电容

‐‐ 

7 

12 

pF 

V

DS

 = 0V, V

GS 

= ‐10V, f = 1MHz 

 

C

RSS

 

反向传输电容

‐‐ 

3 

5 

e

n

 

等效噪声电压

‐‐ 

3 

‐‐ 

内华达州/ √Hz的

V

DG

 = 10V,  I

D

 = 1mA , f = 1kHz 

 

 

 

 

 

 

 

SST112 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) 

SYMBOL

特点】

 

单位“

条件“

启动时间

开启上升时间

关闭时间

关闭下降时间

2 

2 

6 

15 

 

 

ns 

V

DD

 = 10V 

V

GS

(H) = 0V 

 

见开关电路

 

 

 

 

 

 

 

 

可用的软件包：

SST112采用SOT -23

SST112裸片。

请联系Micross全

包装及模具尺寸

SOT- 23 （顶视图）

t

D（上）

 

t

r

 

t

D（关闭）

 

t

f

 

注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该SST112适用性可能受到损害。注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％

                                                                                                                 

SST112 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                          

‐7V 

R

L

 

1600Ω 

I

D（上）

 

6mA 

 

 

 

 

Micross组件欧洲

 

 

 

 

 

 

V

GS （ L）

 

切换测试电路

电话：+44 1603 788967

电子邮件：

chipcomponents@micross.com

网址：

http://www.micross.com/distribution

提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或

第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。