2SC2131 [MITSUBISHI]

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band Mobile radio applications); NPN外延平面型(用于RF功率放大器在UHF频段移动无线电应用)
2SC2131
元器件型号: 2SC2131
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band Mobile radio applications)
NPN外延平面型(用于RF功率放大器在UHF频段移动无线电应用)

晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 功率放大器 无线 局域网
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型号参数:2SC2131参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商MITSUBISHI ELECTRIC CORP
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.77
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值4 W
最小功率增益 (Gp)6.7 dB
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1