M5M5V4R01J-12 [MITSUBISHI]

4194304-BIT (4194304-WORD BY 1-BIT) CMOS STATIC RAM; 4194304 - BIT ( 4194304 - WORD BY 1位) CMOS静态RAM
M5M5V4R01J-12
元器件型号: M5M5V4R01J-12
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4194304-BIT (4194304-WORD BY 1-BIT) CMOS STATIC RAM
4194304 - BIT ( 4194304 - WORD BY 1位) CMOS静态RAM

存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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型号参数:M5M5V4R01J-12参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ32,.44
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.92
Is SamacsysN
最长访问时间12 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端子数量32
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.13 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1