RD07MUS2B [MITSUBISHI]

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,527MHz,870MHz,7W; 符合RoHS指令,硅MOSFET功率晶体管, 175MHz时, 527MHz , 870MHz的, 7W
RD07MUS2B
元器件型号: RD07MUS2B
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,527MHz,870MHz,7W
符合RoHS指令,硅MOSFET功率晶体管, 175MHz时, 527MHz , 870MHz的, 7W

晶体 晶体管
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型号参数:RD07MUS2B参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
包装说明CHIP CARRIER, R-XQCC-N3
针数10
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.66
外壳连接SOURCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-XQCC-N3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1