元器件型号: | RD07MUS2B |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,527MHz,870MHz,7W |
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型号参数:RD07MUS2B参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XQCC-N3 |
针数 | 10 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.66 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 25 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,527MHz,870MHz,7W
符合RoHS指令,硅MOSFET功率晶体管, 175MHz时, 527MHz , 870MHz的, 7W