RD30HVF1 [MITSUBISHI]

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W; 硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W
RD30HVF1
元器件型号: RD30HVF1
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W

晶体 晶体管
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型号参数:RD30HVF1参数
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.82
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1