元器件型号: | RD30HVF1 |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W |
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型号参数:RD30HVF1参数 | |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.82 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 7 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W