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1951A 中等功率微波MESFET (Medium Power Microwave MESFET)
.型号:   1951A
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描述: 中等功率微波MESFET
Medium Power Microwave MESFET
文件大小 :   31 K    
页数 : 4 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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1951A 中等功率微波MESFET (Medium Power Microwave MESFET)
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100%
三菱SEMICONDUTOR <GaAs FET>
初步
MGF1951
MGF1951A
中等功率微波MESFET
描述
该MGF1951A是一个20mW的MESFET的S-到Ku波段
驱动放大器和振荡器。
它的铅更少的陶瓷封装,保证最小的寄生效应。
特点
•高增益和高输出功率
G
LP
= 9分贝,P
1dB
= 13dBm的(典型值) @ F = 12GHz的
•无引线陶瓷封装
应用
S-到Ku波段驱动放大器和振荡器
质量
通用等级
订购信息
产品型号
MGF1951A-01
QUANTITY
3.000个/卷
供货形式
磁带&卷轴
保持安全第一在你的电路设计!
三菱电机公司提出的
尽最大的努力为制造半导体
产品的质量和可靠性,但存在
总是有可能发生故障的可能性,
用它们。麻烦半导体可能
导致人身伤害,火灾或财产
损害。
记住
to
应有
考虑到制作时的安全性
电路设计,配合适当的措施
的替代,辅助例如(i )放置
电路,(ⅱ)使用不易燃的材料或
(ⅲ)防止对任何故障或
硬伤。
绝对最大额定值
(T
a
=+25°C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
P
T
T
ch
T
英镑
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
等级
-8
-8
120
300
125
-65到+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
(T
a
=+25°C)
符号
I
DSS
V
GS ( OFF )
P
1dB
G
LP
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
在输出功率
1分贝增益压缩
线性功率增益
测试条件
I
G
=-30µA
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ,我
D
=300µA
V
DS
= 3V ,我
D
= 30mA时F = 12GHz的
V
DS
= 3V ,我
D
= 30mA时P
in
=-5dBm,
f=12GHz
-8
35
-0.3
11
7
典型值
-15
60
-1.4
13
9
最大
120
-3.5
单位
V
mA
V
DBM
dB
V
( BR ) GDO
栅漏击穿电压
三菱
(1/4)
2002年8月1日
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