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2SK2973 RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器) (RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers))
.型号:   2SK2973
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描述: RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器)
RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers)
文件大小 :   37 K    
页数 : 3 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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2SK2973 RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器) (RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers))
PDF原版 中文翻译版  
100%
三菱RF功率MOS FET
2SK2973
描述
2SK2973是一个MOS场效应管型晶体管特别设计
VHF / UHF功率放大器的应用。
外形绘图
4.6MAX
1.6±0.2
尺寸(mm)
1.5±0.1
特点
•高功率增益: Gpe≥13dB
@V
DD
=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm
•高效率: 55 % (典型值) 。
•源案件类型SOT- 89封装
(内部连接到源)
1
2
3
应用
对于驱动级和功率放大器在VHF / UHF的输出级
波段便携式收音机。
1.5
0.53
最大
0.48MAX
1 :排水
2 :源
3 :门
0.4 +0.03
-0.05
3.0
记号
SOT-89
记号
型号
K1
LOT号
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
P
ch
T
j
T
英镑
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
结温
储存温度
条件
评级
17
±10
1.5
150
-40到+110
单位
V
V
W
˚C
˚C
Tc=25˚C
(Note2)
注1 :以上参数是独立的保证。
2 :焊接在印刷电路板(铜叶面积; 70 × 70毫米, T = 1.6毫米环氧玻璃)
电气特性
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
C
国际空间站
C
OSS
P
OUT
h
D
参数
测试条件
V
DS
=12V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 7V ,我
DS
=1mA
V
GS
=10V, V
DS
=0V,f=1MHz
V
DS
=10V, V
GS
=0V,f=1MHz
V
DS
= 9.6V ,P
in
=50mW,f=450MHz
范围
典型值
最大
10
1
1.8
单位
µA
µA
V
pF
pF
W
%
阈值电压
1.2
10
8
1.2
55
1
45
注:以上参数,收视率,限制和条件可能发生变化。
十一月'97
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