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2SK2975 RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器) (RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers))
.型号:   2SK2975
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描述: RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器)
RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers)
文件大小 :   33 K    
页数 : 3 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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2SK2975 RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器) (RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers))
PDF原版 中文翻译版  
100%
三菱RF功率MOS FET
2SK2975
描述
2SK2975是一个MOS场效应管型晶体管特别设计
VHF / UHF功率放大器的应用。
外形绘图
索引标记
( TOP)
尺寸(mm)
(底部)
特点
•高功率增益: Gpe≥8.4dB
@V
DD
=9.6V,f=450MHz,Pin=30dBm
•高效率: 55 % (典型值) 。
•源案件类型seramic包
(内部连接到源)
3
4.9
1
2
2.0
3.50
t=1.2MAX
应用
对于驱动级和功率放大器在VHF / UHF的输出级
波段便携式收音机。
1 :排水
2 :源
3 :门
记号
指数
标志
型号
LOT号
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
P
ch
T
j
T
英镑
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
结温
储存温度
条件
评级
30
±20
10
175
-40到+110
单位
V
V
W
˚C
˚C
Tc=25˚C
(Note2)
注1 :以上参数是独立的保证。
2 :在铜块焊接起始垫( 14 × 2.8 × 2毫米)
电气特性
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
C
国际空间站
C
OSS
P
OUT
h
D
参数
测试条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 7V ,我
DS
=1mA
V
GS
=10V, V
DS
=0V,f=1MHz
V
DS
=10V, V
GS
=0V,f=1MHz
V
DS
= 9.6V ,P
in
=1W,f=450MHz
范围
典型值
最大
10
1
1.7
单位
µA
µA
V
pF
pF
W
%
阈值电压
1.0
45
80
8
55
7
50
注:以上参数,收视率,限制和条件可能发生变化。
十一月'97
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