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描述:
227CKE250M  0022057058  0395132012  1N5232B  2N6056  227CKE100M  194270040  1N5229B  0353280260  107CKS400M  
M2S56D30AKT-75AL 256M双数据速率同步DRAM (256M Double Data Rate Synchronous DRAM)
.型号:   M2S56D30AKT-75AL
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描述: 256M双数据速率同步DRAM
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
文件大小 :   823 K    
页数 : 37 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
DDR SDRAM ( Rev.1.0 )
七月'01
初步
M2S56D20 / 30 / 40AKT
三菱的LSI
256M双数据速率同步DRAM
初步
有些内容如有变更,恕不另行通知。
描述
M2S56D20AKT是4 X银行16777216字×4位,
M2S56D30AKT是4 X银行8,388,608字×8位,
M2S56D40AKT是4 X银行4,194,304字×16位,
双倍数据速率同步DRAM ,具有SSTL_2接口。所有的控制和地址信号为
参考CLK的上升沿。输入数据被寄存在数据选通的两个边缘,并输出
数据和数据选通信号在CLK的两个边缘被引用。该M2S56D20 / 30 / 40AKT实现了非常
高速数据速率达到133MHz ,并适用于在计算机系统的主存储器。
特点
- VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V
- 双数据速率的架构;
每个时钟周期2的数据传输
- 双向,数据选通( DQS)被发送/接收的数据
- 差分时钟输入( CLK和/ CLK )
- DLL对齐DQ和DQS转换
与CLK DQS过渡的边缘
- 输入的命令对每个正CLK的边缘;
- 参考DQS的两个边缘数据和数据屏蔽
- 由BA0控制的4个银行操作, BA1 (银行地址)
- / CAS延时: 2.0 / 2.5 (可编程)
- 突发长度 - 2/4/8 (可编程)
- 突发类型 - 顺序/交错(可编程)
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 8192刷新周期/ 64ms的( 4银行同步更新)
- 自动刷新和自刷新
- 行地址A0-12 /列地址A0-9,11 ( X4 ) / A0-9 ( X8 ) / A0-8 ( X16 )
- SSTL_2接口
- 400万, 66引脚薄型小尺寸封装( TSOP II )
- JEDEC标准
工作频率
速度
GRADE
-75A
-75
-10
时钟速率
CL = 2 *
133MHz
100MHz
100MHz
CL = 2.5 *
133MHz
133MHz
125MHz
* CL = CAS (读)延迟
三菱电机
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