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NSAM2AS105VDC  MJL21193  MJL21194  NSBC114EDXV6_06  NSAM2AS155VDC  NSB9435T1_06  NSAM2AS159VDC  NSB9435T1  NSAM2AS1018VDC  NSAM  
M2S56D30AKT-75AL 256M双数据速率同步DRAM (256M Double Data Rate Synchronous DRAM)
.型号:   M2S56D30AKT-75AL
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描述: 256M双数据速率同步DRAM
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
文件大小 :   823 K    
页数 : 37 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
DDR SDRAM ( Rev.1.0 )
七月'01
初步
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256 MD ouble ð ATA ř吃了S ynchronous DRAM
命令真值表
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&
银行激活
单个组预充电
预充电所有银行
列地址条目
&放大器;写
列地址条目
&写有
自动预充电
列地址条目
&放大器;读
列地址条目
&与阅读
自动预充电
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
REFA
REFS
REFSX
TERM
太太
H
H
L
L
H
H
H
L
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
X
H
H
L
L
L
X
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H
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X
H
L
L
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
V
1
2
READA
H
H
L
H
L
H
V
H
V
H
H
L
H
L
H
V
L
V
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
WRITEA
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
H
CKE
n
X
X
H
H
H
H
H
/ CS
H
L
L
L
L
L
L
/ RAS
X
H
L
L
L
H
H
/ CAS
X
H
H
H
H
L
L
/ WE
X
H
H
L
L
L
L
BA0,1
X
X
V
V
X
V
V
A10
/ AP
X
X
V
L
H
L
H
A0-9,
11-12
X
X
V
X
X
V
V
H =高电平, L =低的水平, V =有效, X =无所谓, N = CLK周期数
注意:
1.只适用于突发读取与autoprecharge禁用;这个命令是未知的(并且不应使用),用于
突发读取与autoprecharge启用,并写阵阵。
2. BA0 - BA1选择基本或扩展模式寄存器( BA0 = 0 , BA1 = 0选择模式寄存器; BA0 = 1 ,
BA1 = 0选择扩展模式寄存器; BA0 - BA1的其他组合被保留; A0 - A12提供
操作码被写入到所选择的模式寄存器。
三菱电机
6
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