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ES29BDS160D-90WCI  ES29F160D-90WCI  ES29BDS160D-90RTG  160B18W471MV4R  160B18Z471MV4U  160B18W471MV4T  160BXC100M12.5X25  160B18W471JV4U  160B18W471KV4U  ES29DL160D-12RTG  
M5M44405CTP-7 EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM (EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44405CTP-7
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描述: EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM
文件大小 :   246 K    
页数 : 27 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱的LSI
三菱的LSI
M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD由4位),动态RAM
EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位),动态RAM
描述
这是由4位动态RAM一族1048576字,制成
具有高性能的CMOS工艺,是理想的large-
容量存储系统,其中高速,低功耗,
和低成本是至关重要的。
采用四层多晶硅工艺的结合
硅化物技术和单晶体管动态存储堆叠
电容器电池提供高的电路密度,同时降低成本。
复用地址输入允许既减少了引脚和
增加系统的密度。
自或延长刷新电流足够低,对备用电池
应用程序。
引脚配置(顶视图)
DQ
1
1
DQ
2
2
W 3
RAS 4
A
9
5
26 V
SS
25 DQ
4
24 DQ
3
23 CAS
22 OE
特点
A
0
9
18 A
8
17 A
7
16 A
6
15 A
5
14 A
4
型号名称
M5M44405CXX-5,-5S
M5M44405CXX-6,-6S
M5M44405CXX-7,-7S
RAS
CAS
ACCESS
ACCESS
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns )
地址
OE
周期
动力
ACCESS
ACCESS
时间
耗散
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
A
1
10
A
2
11
A
3
12
V
CC
13
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
500
400
350
XX = j的, TP
大纲26P0J ( 300MIL SOJ )
标准的26引脚SOJ , 26引脚TSOP ( II )
单5V ± 10 %电源
低待机功耗
CMOS lnput水平
5.5MW (最大) *
CMOS lnput水平
550μW (最大)
低工作功耗
M5M44405Cxx-5,-5S
687.5mW (最大)
M5M44405Cxx-6,-6S
550.0mW (最大)
M5M44405Cxx-7,-7S
467.5mW (最大)
自刷新capabiility *
自刷新电流
120µA(max)
扩展刷新功能*
扩展刷新电流
120µA(max)
超页模式( 1024位随机访问) ,读 - 修改 - 写,
RAS-只刷新CAS RAS刷新之前,隐藏刷新, CBR
自刷新( -5S , -6S , -7S )功能
早期的读写模式与OE和W来控制输出缓冲器阻抗
所有的输入,输出TTL兼容,低电容
1024刷新周期每16.4ms (A
0
~A
9
)
1024refresh周期每128ms的(A
0
~A
9
) *
4位并行测试模式能力
*:适用于自刷新版本( M5M44405CJ , TP- 5S , -6S , -7S
:选项)只
DQ
1
1
DQ
2
2
W 3
RAS 4
A
9
5
26 V
SS
25 DQ
4
24 DQ
3
23 CAS
22 OE
A
0
9
A
1
10
A
2
11
A
3
12
V
CC
13
18 A
8
17 A
7
16 A
6
15 A
5
14 A
4
概述26P3Z -E ( 300MIL TSOP )
应用
计算机主存储器单元,微机存储器,刷新
内存CRT ,帧缓冲存储器的CRT
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
9
DQ
1
-DQ
4
RAS
CAS
W
OE
VCC
VSS
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源(+ 5V)
地( 0V )
1
M5M44405CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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