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![]() 三菱的LSI M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM 时序要求(读,写,读 - 修改 - 写,刷新,超页模式周期) (大= 0 〜 70 ° C,V CC = 5V±10%, V SS = 0V时,除非另有说明,参见注释14,15) 范围 符号 t REF t REF t RP t RCD t CRP t RPC t CPN t 拉德 t ASR t ASC t RAH t CAH t DZC t DZO t RDD t CDD t ODD t T 刷新周期时间 刷新周期时间* (注16 ) 30 18 5 0 8 13 0 0 8 8 0 0 13 13 13 1 参数 M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S 单位 ms ms ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 民 最大 16.4 128 37 民 最大 16.4 128 45 民 最大 16.4 128 50 RAS高脉冲宽度 延迟时间, RAS低到CAS低 延迟时间CAS高到RAS低 延迟时间,高RAS到CAS低 CAS高脉冲宽度 从RAS低列地址的延迟时间 RAS低前行地址建立时间 CAS前低列地址建立时间 后RAS低行地址保持时间 经过CAS低列地址保持时间 延迟时间,数据CAS低 延迟时间,数据到OE低 延迟时间, RAS高到数据 延迟时间,中国科学院高数据 延迟时间, OE高到数据 转换时间 注14:时序要求被假定 t T =2ns. (注17 ) (注18 ) 25 10 (注19 ) (注19 ) (注20 ) (注20 ) (注20 ) (注21 ) 50 40 20 5 0 10 15 0 0 10 10 0 0 15 15 15 1 30 13 50 50 20 5 0 13 15 0 0 10 10 0 0 20 20 20 1 35 13 50 记 15 : V IH(分钟) 和V 白细胞介素(最大) 是参考电平,用于测量输入信号的定时。 记 16 : t RCD (最大) 被指定为唯一的一个参考点。如果 t RCD 小于 t RCD (最大) , 访问时间是 t RAC . If t RCD 大于 t RCD (最大) , 访问时间是 完全由控制 t CAC or t AA . 记 17 : t RAD (最大值) 被指定为唯一的一个参考点。如果 t 拉德 ≥ t RAD (最大值) 和 t ASC ≤ t ASC (最大) , 存取时间由专门受控 t AA . 记 18 : t ASC (最大) 被指定为唯一的一个参考点。如果 t RCD ≥ t RCD (最大) 和 t ASC ≥ t ASC (最大) , 存取时间由专门受控 t CAC . 记 19 :要么 t DZC or t DZO 必须得到满足。 记 20 :要么 t RDD or t CDD or t ODD 必须得到满足。 记 21 : t T V的测量 IH(分钟) 和V 白细胞介素(最大) . 阅读和更新周期 范围 符号 t RC t RAS t CAS t CSH t RSH t RCS t RCH t RRH t 拉尔 t CAL t ORH t OCH 读周期时间 参数 M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S 单位 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns RAS的低脉冲宽度 CAS低脉冲宽度 CAS RAS低后保持时间 RAS CAS低后保持时间 阅读设置时间CAS前低 阅读CAS高后保持时间 阅读RAS高后保持时间 列地址到RAS保持时间 列地址到CAS保持时间 OE后低RAS保持时间 OE后低CAS保持时间 注22 :要么 t RCH or t RRH 必须满足一个读周期。 (注22 ) (注22 ) 民 90 50 8 40 13 0 0 0 25 13 13 13 最大 10000 10000 民 110 60 10 48 15 0 0 0 30 18 15 15 最大 10000 10000 民 130 70 13 55 20 0 0 0 35 23 20 20 最大 10000 10000 5 M5M44405CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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