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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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| SMAJ54 SMBJ64A SMBJ9.0A SMBJ85 SMBJ100 SMAJ75A SMAJ64A SMAJ43A SMBJ90 SMBJ22 | ||||||||||
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 三菱的LSI M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM 时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，超页模式周期） （大= 0 〜 70 ° C，V CC = 5V±10%, V SS = 0V时，除非另有说明，参见注释14,15） 范围 符号 t REF t REF t RP t RCD t CRP t RPC t CPN t 拉德 t ASR t ASC t RAH t CAH t DZC t DZO t RDD t CDD t ODD t T 刷新周期时间 刷新周期时间* （注16 ） 30 18 5 0 8 13 0 0 8 8 0 0 13 13 13 1 参数 M5M44405C -5， -5S M5M44405C -6， -6S M5M44405C -7， -7S 单位 ms ms ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 民 最大 16.4 128 37 民 最大 16.4 128 45 民 最大 16.4 128 50 RAS高脉冲宽度 延迟时间， RAS低到CAS低 延迟时间CAS高到RAS低 延迟时间，高RAS到CAS低 CAS高脉冲宽度 从RAS低列地址的延迟时间 RAS低前行地址建立时间 CAS前低列地址建立时间 后RAS低行地址保持时间 经过CAS低列地址保持时间 延迟时间，数据CAS低 延迟时间，数据到OE低 延迟时间， RAS高到数据 延迟时间，中国科学院高数据 延迟时间， OE高到数据 转换时间 注14：时序要求被假定 t T =2ns. （注17 ） （注18 ） 25 10 （注19 ） （注19 ） （注20 ） （注20 ） （注20 ） （注21 ） 50 40 20 5 0 10 15 0 0 10 10 0 0 15 15 15 1 30 13 50 50 20 5 0 13 15 0 0 10 10 0 0 20 20 20 1 35 13 50 记 15 : V IH（分钟） 和V 白细胞介素（最大） 是参考电平，用于测量输入信号的定时。 记 16 : t RCD （最大） 被指定为唯一的一个参考点。如果 t RCD 小于 t RCD （最大） ， 访问时间是 t RAC . If t RCD 大于 t RCD （最大） , 访问时间是 完全由控制 t CAC or t AA . 记 17 : t RAD （最大值） 被指定为唯一的一个参考点。如果 t 拉德 ≥ t RAD （最大值） 和 t ASC ≤ t ASC （最大） , 存取时间由专门受控 t AA . 记 18 : t ASC （最大） 被指定为唯一的一个参考点。如果 t RCD ≥ t RCD （最大） 和 t ASC ≥ t ASC （最大） , 存取时间由专门受控 t CAC . 记 19 ：要么 t DZC or t DZO 必须得到满足。 记 20 ：要么 t RDD or t CDD or t ODD 必须得到满足。 记 21 : t T V的测量 IH（分钟） 和V 白细胞介素（最大） . 阅读和更新周期 范围 符号 t RC t RAS t CAS t CSH t RSH t RCS t RCH t RRH t 拉尔 t CAL t ORH t OCH 读周期时间 参数 M5M44405C -5， -5S M5M44405C -6， -6S M5M44405C -7， -7S 单位 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns RAS的低脉冲宽度 CAS低脉冲宽度 CAS RAS低后保持时间 RAS CAS低后保持时间 阅读设置时间CAS前低 阅读CAS高后保持时间 阅读RAS高后保持时间 列地址到RAS保持时间 列地址到CAS保持时间 OE后低RAS保持时间 OE后低CAS保持时间 注22 ：要么 t RCH or t RRH 必须满足一个读周期。 （注22 ） （注22 ） 民 90 50 8 40 13 0 0 0 25 13 13 13 最大 10000 10000 民 110 60 10 48 15 0 0 0 30 18 15 15 最大 10000 10000 民 130 70 13 55 20 0 0 0 35 23 20 20 最大 10000 10000 5 M5M44405CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
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