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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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 三菱的LSI M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM 写周期（早期写和延迟写入） 范围 符号 t WC t RAS t CAS t CSH t RSH t WCS t WCH t CWL t RWL t WP t DS t DH 参数 写周期时间 RAS的低脉冲宽度 CAS低脉冲宽度 CAS RAS低后保持时间 RAS CAS低后保持时间 写CAS低之前建立时间 写CAS低后保持时间 CAS后W¯¯低的保持时间 RAS后W¯¯低的保持时间 把脉冲宽度 数据建立时间之前CAS低或W低 CAS后低或W低数据保持时间 M5M44405C -5， -5S M5M44405C -6， -6S M5M44405C -7， -7S 单位 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns （注24 ） 民 90 50 8 40 13 0 8 8 8 8 0 8 最大 10000 10000 民 110 60 10 48 15 0 10 10 10 10 0 10 最大 10000 10000 民 130 70 13 55 20 0 13 13 13 13 0 13 最大 10000 10000 读 - 写和读 - 修改 - 写周期 范围 符号 t RWC t RAS t CAS t CSH t RSH t RCS t CWD t RWD t AWD t OEH 参数 M5M44405C -5， -5S M5M44405C -6， -6S M5M44405C -7， -7S 单位 （注23 ） 读取写入/读取 - 修改 - 写周期时间 ns 10000 10000 10000 ns RAS的低脉冲宽度 CAS低脉冲宽度 10000 10000 10000 ns ns CAS RAS低后保持时间 ns RAS CAS低后保持时间 ns 阅读设置时间CAS前低 （注24 ） ns 延迟时间CAS低为W低 ns （注24 ） 延迟时间， RAS低为W低 （注24 ） ns 延迟时间，地址为W低 ns 后W¯¯低OE保持时间 注23 ： t RWC 被指定为 t RWC （分钟） = t RAC的（最大） + t ODD （分钟） + t RWL （分钟） + t RP （分钟） +4 t T . 记 24 : t WCS , t CWD , t RWD 和 t AWD 而且， t CPWD 被指定为唯一的参照点。如果 t WCS ≥ t WCS （分钟） 该循环是一个早期的写周期和DQ管脚将 保持高阻抗在整个周期。如果 t CWD ≥ t CWD （分钟） , t RWD ≥ t RWD （分钟） , t AWD ≥ t AWD （分钟） 和 t CPWD ≥ t CPWD （分钟） （快速页面 唯一模式的周期） ，周期是一个读 - 修改 - 写周期和DQ将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件 （延迟写入）的DQ的（在存取时间和CAS之前，或OE追溯到V IH ）是不确定的。 民 109 75 38 75 38 0 28 65 40 13 最大 民 133 89 44 89 44 0 32 77 47 15 最大 民 161 107 57 107 57 0 42 92 57 20 最大 6 M5M44405CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
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