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XF2J-1224-12A  XF2J-1824-11A  XF2J-0624-11A  XF2J-1624-11A  XF2J-0824-12A  XF2J-1224-11A  XF2J-1024-11A  XF2J  XF2J-0824-11A  XF2J-2024-11A  
M5M44405CTP-7 EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM (EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44405CTP-7
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描述: EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM
文件大小 :   246 K    
页数 : 27 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱的LSI
M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
写周期(早期写和延迟写入)
范围
符号
t
WC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
参数
写周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
写CAS低之前建立时间
写CAS低后保持时间
CAS后W¯¯低的保持时间
RAS后W¯¯低的保持时间
把脉冲宽度
数据建立时间之前CAS低或W低
CAS后低或W低数据保持时间
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(注24 )
90
50
8
40
13
0
8
8
8
8
0
8
最大
10000
10000
110
60
10
48
15
0
10
10
10
10
0
10
最大
10000
10000
130
70
13
55
20
0
13
13
13
13
0
13
最大
10000
10000
读 - 写和读 - 修改 - 写周期
范围
符号
t
RWC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
OEH
参数
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
(注23 )
读取写入/读取 - 修改 - 写周期时间
ns
10000
10000
10000
ns
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
10000
10000
10000
ns
ns
CAS RAS低后保持时间
ns
RAS CAS低后保持时间
ns
阅读设置时间CAS前低
(注24 )
ns
延迟时间CAS低为W低
ns
(注24 )
延迟时间, RAS低为W低
(注24 )
ns
延迟时间,地址为W低
ns
后W¯¯低OE保持时间
注23 :
t
RWC
被指定为
t
RWC (分钟)
=
t
RAC的(最大)
+
t
ODD (分钟)
+
t
RWL (分钟)
+
t
RP (分钟)
+4
t
T
.
24 :
t
WCS
,
t
CWD
,
t
RWD
t
AWD
而且,
t
CPWD
被指定为唯一的参照点。如果
t
WCS
t
WCS (分钟)
该循环是一个早期的写周期和DQ管脚将
保持高阻抗在整个周期。如果
t
CWD
t
CWD (分钟)
,
t
RWD
t
RWD (分钟)
,
t
AWD
t
AWD (分钟)
t
CPWD
t
CPWD (分钟)
(快速页面
唯一模式的周期) ,周期是一个读 - 修改 - 写周期和DQ将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件
(延迟写入)的DQ的(在存取时间和CAS之前,或OE追溯到V
IH
)是不确定的。
109
75
38
75
38
0
28
65
40
13
最大
133
89
44
89
44
0
32
77
47
15
最大
161
107
57
107
57
0
42
92
57
20
最大
6
M5M44405CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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