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M5M44405CTP-7 EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM (EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44405CTP-7
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描述: EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM
文件大小 :   246 K    
页数 : 27 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱的LSI
M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
超页模式周期
(读,写初,读写,读 - 修改 - 写周期,读写混合周期,高阻通过控制OE或W)
(注25 )
范围
符号
t
HPC
t
HPRWC
t
DOH
t
RAS
t
CP
t
CPRH
t
CPWD
t
CHOL
t
OEPE
t
WPE
t
HCWD
t
HAWD
t
HPWD
t
HCOD
t
HAOD
t
HPOD
参数
(注26 )
超页模式的读/写周期时间
超页模式阅读写/读 - 修改 - 写周期时间
中国科学院低输出保持时间
(注27 )
RAS的低脉冲宽度为读或写周期
(注28 )
CAS高脉冲宽度
RAS预充电CAS后保持时间
(注24 )
延迟时间CAS预充电至W低
保持时间,保持数据的Hi- Z键直至CAS访问
OE脉冲宽度(高阻控制)
W脉冲宽度(高阻控制)
延迟时间CAS低到读取后W¯¯低
延迟时间,地址为W低后读
延迟时间CAS预充电至W低后读
延迟时间CAS低到OE读取后高
延迟时间,地址到OE读取后高
延迟时间CAS预充电到OE读取后高
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
ns
ns
20
57
5
65
8
28
43
7
7
7
28
40
43
13
25
28
最大
25
66
5
77
10
33
50
7
7
7
32
47
50
15
30
33
最大
30
79
5
92
13
38
60
7
7
7
42
57
60
20
35
38
最大
100000
13
100000
16
100000
16
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注25 :所有先前指定的定时要求和开关特性适用于它们各自的超页模式周期。
26 :
t
HPC (分钟)
中指定的只读和早期只写在超页模式的情况。
27 :
t
RAS (分钟)
被指定为CAS号输入的两个周期中执行。
28 :
t
CP( MAX)的
被指定为唯一的一个参考点。
CAS前RAS刷新周期
符号
t
企业社会责任
t
CHR
t
RSR
t
RHR
t
CAS
(注29 )
范围
参数
前RAS低CAS建立时间
CAS RAS低后保持时间
阅读设置时间RAS前低
后RAS低的阅读保持时间
CAS低脉冲宽度
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
5
10
10
10
17
最大
5
10
10
10
17
最大
5
15
10
15
22
最大
注29 : RAS周期,而不是8 RAS周期前八个或更多CAS是必要的CAS的正常运行RAS的刷新模式之前。
自刷新周期*
符号
t
RASS
t
RPS
t
CHS
t
RSR
t
RHR
(注30 )
范围
参数
CBR的自刷新的RAS低脉冲宽度
CBR自刷新高RAS预充电时间
CBR自刷新CAS保持时间
阅读设置时间RAS前低
后RAS低的阅读保持时间
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
100
90
- 50
10
10
最大
100
110
- 50
10
10
最大
100
130
- 50
10
15
最大
7
M5M44405CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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