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GRM0337U1H3R3CD01D  GRM0337U1H9R0DD01D  GRM0337U1H2R0CD01D  GRM0337U1H5R6DD01D  GRM0337U1HR80BD01D  HE1AN-S-AC100V  GRM0335C1E6R8DD01D  HE1AN-P-DC12V-Y5  GRM0337U1H8R0DD01D  GRM0335C1H101JD01D  
M5M44405CTP-7 EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM (EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44405CTP-7
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描述: EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM
文件大小 :   246 K    
页数 : 27 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱的LSI
M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO (超页模式) 4194304 - BIT ( 1048576 - WORD 4位)动态RAM
超页模式周期
(读,写初,读写,读 - 修改 - 写周期,读写混合周期,高阻通过控制OE或W)
(注25 )
范围
符号
t
HPC
t
HPRWC
t
RAS
t
CPRH
t
CPWD
t
HCWD
t
HAWD
t
HPWD
t
HCOD
t
HAOD
t
HPOD
参数
(注26 )
超页模式的读/写周期时间
超页模式阅读写/读 - 修改 - 写周期时间
RAS的低脉冲宽度为读或写周期
(注27 )
RAS预充电CAS后保持时间
(注24 )
延迟时间CAS预充电至W低
延迟时间CAS低到读取后W¯¯低
延迟时间,地址为W低后读
延迟时间CAS预充电至W低后读
延迟时间CAS低到OE读取后高
延迟时间,地址到OE读取后高
延迟时间CAS预充电到OE读取后高
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
62
70
33
48
33
45
48
18
30
33
最大
100000
30
71
82
38
55
37
52
55
20
35
38
最大
100000
35
84
97
43
65
47
62
65
25
40
43
最大
100000
测试模式设定周期
范围
符号
t
WSR
t
WHR
参数
RAS低之前写的建立时间
写RAS低后保持时间
M5M44405C -5, -5S M5M44405C -6, -6S M5M44405C -7, -7S
单位
ns
ns
10
10
最大
10
10
最大
10
15
最大
9
M5M44405CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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