电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
PCI350-4802SL  PCI350-4801ST  PCI350-4803NL  PCI350-4802NN  PCI350-4801NS  PCI350-4802SS  PCI350-4801SN  PCI350-4801SS  PCI350-4802NS  PCI350-4803NN  
M5M44800CTP-5 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM (FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44800CTP-5
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   204 K    
页数 : 21 页
Logo:   
品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号M5M44800CTP-5的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD BYBY 8 - BIT)动态RAM
快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
描述
这是由8位动态RAM一个家族的524288字,制成
具有高性能的CMOS工艺,是理想的large-
容量存储系统,其中高速,低功率
耗散和低的成本是必要的。
采用双层金属化工艺技术和
单晶体管动态存储堆叠的电容器单元提供
以较低的成本高的电路密度。复用地址输入
允许既减少在销,并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。
三菱的LSI
三菱的LSI
引脚配置(顶视图)
(5V)V
CC
1
DQ
1
2
DQ
2
3
DQ
3
4
DQ
4
5
NC 6
W
7
9
RAS 8
A
9
28 V
SS
(0V)
27 DQ
8
26 DQ
7
25 DQ
6
24 DQ
5
23 CAS
22 OE
21 NC
20 A
8
19 A
7
18 A
6
17 A
5
16 A
4
15 V
SS
(0V)
特点
型号名称
M5M44800CXX-5,-5S
M5M44800CXX-6,-6S
M5M44800CXX-7,-7S
RAS
CAS地址
OE
循环发电
访问接入访问存取时间耗散
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
A
0
10
A
1
11
A
2
12
A
3
13
(5V)V
CC
14
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
450
375
325
XX = j的, TP
大纲28P0K ( 400mil SOJ )
标准的28PIN SOJ , 28PIN TSOP ( II )
单5V ± 10 %电源
低待机功耗
CMOS lnput水平
5.5MW (最大)
CMOS输入电平
550μW (最大) *
工作功耗
M5M44800Cxx-5,-5S
495mW (最大)
M5M44800Cxx-6,-6S
413mW (最大)
M5M44800Cxx-7,-7S
358mW (最大)
自刷新功能*
自刷新电流
150µA(Max)
扩展刷新功能
扩展刷新电流
150µA(Max)
快页模式( 1024 -列随机访问) ,读 - 修改 - 写,
RAS-只刷新, CAS前RAS刷新,刷新隐藏
的能力。
早期读写模式, CAS和OE控制输出缓冲器阻抗
1024刷新周期每16.4ms (A
0
~A
9
)
1024刷新周期每128ms的(A
0
~A
9
) *
*:适用于自刷新版本( M5M44800CJ , TP- 5S , -6S , -7S
:选项)只
(5V)V
CC
1
DQ
1
2
DQ
2
3
DQ
3
4
DQ
4
5
NC 6
W
A
9
7
9
RAS 8
A
0
10
A
1
11
A
2
12
A
3
13
(5V)V
CC
14
28 V
SS
(0V)
27 DQ
8
26 DQ
7
25 DQ
6
24 DQ
5
23 CAS
22 OE
21 NC
20 A
8
19 A
7
18 A
6
17 A
5
16 A
4
15 V
SS
(0V)
概述28P3Y -H ( 400mil TSOP普通弯)
应用
微型计算机的内存,内存刷新为CRT
NC :无连接
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
9
DQ
1
-DQ
8
RAS
CAS
W
OE
VCC
VSS
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源(+ 5V)
地( 0V )
1
M5M44800CJ , TP - 5 , -5S :开发中
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7