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SB305  SB3050FCT  SB3045CT  SB3040ST  SB3060ST  SB3060LCT  SB3045ST  SB3050CT  SB310  SB3060CT  
M5M44800CTP-5 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM (FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44800CTP-5
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描述: 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   204 K    
页数 : 21 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
电容
(大= 0 〜 70 ° C,V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时,除非另有说明)
范围
符号
C
I(A )
C
我(CLK)
C
I / O
参数
输入电容,输入地址
输入电容,时钟输入
输入/输出电容,数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
(大= 0 〜 70 ° C,V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V时,除非另有说明,注释6,13,14 )
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
(注7,8)
(注7,9 )
(注7,10 )
(注7,11 )
(注7 )
(注7 )
(注12 )
(注12 )
M5M44800C -5, -5S M5M44800C -6, -6S M5M44800C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大
13
50
25
30
13
最大
15
60
30
35
15
最大
20
70
35
40
20
5
13
13
5
15
15
5
20
20
注6 : 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期( RAS只刷新或CAS RAS刷新之前,需要
周期)。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间(大于16.4ms )后
器件正常工作之前不活动的实现。
7 :衡量一个负载电路等效于2TTL负载和100pF的。
8 :假设
t
RCD
t
RCD (最大)
t
ASC
t
ASC (最大)
.
9 :假设
t
RCD
t
RCD (最大
)和
t
拉德
t
RAD (最大值)
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
通过量增加了
t
RCD
超出显示的值。
nOR10 :假设
t
拉德
t
RAD (最大值)
t
ASC
t
ASC (最大)
.
注11 :假设
t
CP
t
CP( MAX)的
t
ASC
t
ASC (最大)
.
注12 :
t
关( MAX)的
,
t
OEZ (最大)
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间(我
OUT
± 10μA ) ,而不是引用到V
OH (分钟)
or
V
OL (最大)
.
4
M5M44800CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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