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CY7C1354C-200BGC  CY7C1354C-200AXC  CY7C1354CV25-167BGC  CY7C1354C-200AXI  CY7C1354CV25-167BGXC  CY7C1354C-250AXC  CY7C1354CV25-167AXI  CY7C1354CV25-167BGI  CY7C1354CV25-167BZI  CY7C1354CV25  
M5M44800CTP-5 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM (FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44800CTP-5
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描述: 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   204 K    
页数 : 21 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
时序要求(读,写,读 - 修改 - 写,刷新,快速页模式周期)
(大= 0 〜 70 ° C,V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V时,除非另有说明,注释6,13,14 )
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
t
T
刷新周期时间
刷新周期时间*
RAS高脉冲宽度
延迟时间, RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间,高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
30
18
5
0
10
13
0
0
8
13
0
0
13
13
1
参数
M5M44800C -5, -5S M5M44800C -6, -6S M5M44800C -7, -7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大
16.4
128
最大
16.4
128
最大
16.4
128
(注15 )
37
(注16 )
(注17 )
25
7
延迟时间,数据CAS低
延迟时间,数据到OE低
延迟时间,中国科学院高数据
延迟时间, OE高到数据
转换时间
注13:时序要求被假定
t
T
=5ns.
(注18 )
(注18 )
(注19 )
(注19 )
(注20 )
50
40
20
5
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
45
30
10
50
50
20
5
0
10
15
0
0
10
15
0
0
20
20
1
50
35
10
50
14: V
IH(分钟)
和V
白细胞介素(最大)
是参考电平,用于测量输入信号的定时。
15:
t
RCD (最大)
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD (最大
) ,访问时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD (最大)
,存取时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
16:
t
RAD (最大值)
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
t
RAD (最大值)
t
ASC
t
ASC (最大)
,存取时间由专门受控
t
AA
.
17:
t
ASC (最大)
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
t
RCD (最大)
t
ASC
t
ASC (最大)
,存取时间由专门受控
t
CAC
.
18 :要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
19 :要么
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
20:
t
T
V的测量
IH(分钟)
和V
白细胞介素(最大)
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OCH
t
ORH
参数
M5M44800C -5, -5S M5M44800C -6, -6S M5M44800C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
列地址到RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
注21 :要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
(注21 )
(注21 )
90
50
13
50
13
0
0
0
25
13
13
最大
10000
10000
110
60
15
60
15
0
0
0
30
15
15
最大
10000
10000
130
70
20
70
20
0
0
0
35
20
20
最大
10000
10000
5
M5M44800CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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