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M5M44800CTP-5 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM (FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M44800CTP-5
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描述: 快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
FAST PAGE MODE 4194304-BIT (524288-WORD BY 8-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   204 K    
页数 : 21 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT ( 524288 - WORD 8 - BIT)动态RAM
写周期(早期写和延迟写入)
范围
符号
t
WC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OEH
参数
写周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
写CAS低之前建立时间
写CAS低后保持时间
CAS后W¯¯低的保持时间
RAS后W¯¯低的保持时间
把脉冲宽度
数据建立时间之前CAS低或W低
CAS后低或W低数据保持时间
后W¯¯低OE保持时间
M5M44800C -5, -5S M5M44800C -6, -6S M5M44800C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(注23 )
90
50
13
50
13
0
8
13
13
8
0
8
13
最大
10000
10000
110
60
15
60
15
0
10
15
15
10
0
10
15
最大
10000
10000
130
70
20
70
20
0
15
20
20
15
0
15
20
最大
10000
10000
读 - 写和读 - 修改 - 写周期
范围
符号
t
RWC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OEH
参数
读取写入/读取 - 修改 - 写周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
延迟时间CAS低为W低
延迟时间, RAS低为W低
延迟时间,地址为W低
CAS后W¯¯低的保持时间
RAS后W¯¯低的保持时间
把脉冲宽度
数据建立时间之前CAS低或W低
CAS后低或W低数据保持时间
(注22 )
M5M44800C -5, -5S M5M44800C -6, -6S M5M44800C -7, -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
126
86
49
86
49
0
31
68
43
13
13
8
0
8
13
最大
10000
10000
150
100
55
100
55
0
35
80
50
15
15
10
0
10
15
最大
10000
10000
180
120
70
120
70
0
45
95
60
20
20
15
0
15
20
最大
10000
10000
(注23 )
(注23 )
(注23 )
ns
后W¯¯低OE保持时间
注22 :
t
RWC
被指定为
t
RWC (分钟)
=
t
RAC的(最大)
+
t
ODD (分钟)
+
t
RWL (分钟)
+
t
RP (分钟)
+4
t
T
.
23:
t
WCS
,
t
CWD
,
t
RWD
t
AWD
而且,
t
CPWD
被指定为唯一的参照点。如果
t
WCS
t
WCS (分钟)
该循环是一个早期的写周期和DQ管脚
将保持高阻抗在整个周期。如果
t
CWD
t
CWD (分钟)
,
t
RWD
t
RWD (分钟)
,
t
AWD
t
AWD (分钟)
t
CPWD
t
CPWD (分钟)
(快速页面
唯一模式的周期) ,周期是一个读 - 修改 - 写周期和DQ将包含从所选择的地址读取数据。如果没有上述的
条件(延迟写入)的DQ的(在存取时间和CAS之前,或OE追溯到V
IH
)是不确定的。
6
M5M44800CJ , TP - 5 , -5S :开发中
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