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描述:
MH6202  ISD4000  SI2300  SI2302  AN7213  AN320  SS8050  UPC1252H2  71M6543GH  TA7263P  
M5M465160BJ-6S 快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM (FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M465160BJ-6S
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描述: 快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   361 K    
页数 : 37 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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(修订版1.1 )
三菱的LSI
M5M467400 / 465400BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M467800 / 465800BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M465160BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
快速页模式67108864位( 8388608 - WORD 8 - BIT)动态RAM
快速页模式67108864位( 4194304 - WORD 16 - BIT)动态RAM
电容
符号
C
I(A )
C
我(OE)
C
我(W)的
C
我(RAS)的
C
我( CAS )
C
I / O
(Ta=0
~
70℃ , VCC = 3.3
±
0.3V , VSS = 0V ,除非
参数
另有说明)
测试条件
范围
典型值
最大
5
7
7
7
7
7
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
输入电容,输入地址
输入电容, OE输入
输入电容,写控制输入
输入电容,输入RAS
输入电容,输入CAS
输入/输出电容,数据端口
V
I
= VSS
f=1MH
Z
Vi=25mVrms
开关特性
(Ta=0
~
70℃ , VCC = 3.3
±
0.3V , VSS = 0V时,除非另有说明,注释6,13,14 )
范围
符号
参数
M5M46X400B - 5,5S M5M46X400B , 6,6S
M5M46X800B - 5,5S M5M46X800B , 6,6S
M5M465160B - 5,5S M5M465160B , 6,6S
最大
13
50
25
30
13
5
0
0
13
13
5
0
0
15
15
最大
15
60
30
35
15
单位
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
(注7,8)
(注7,9 )
(注7,10 )
(注7,11 )
(注7 )
(注7 )
(注12 )
(注12 )
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注6 : 500微秒的初始暂停后开机需要后面至少8初始化周期(周期的任意组合
包含RAS-只刷新或CAS RAS刷新前) 。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和任何8初始化周期需要长时间后
(大于64毫秒)器件正常工作之前, RAS活动的实现。
7 :测量用相当于VOH = 2.4V ( IOH = -2mA ) / VOL = 0.4V ( IOL = 2毫安)负载和100pF电容负载电路。的参考电平为
输出信号的测量都是VOH = 2.0V和VOL = 0.8V 。
8 :假设吨
RCD
t
RCD (最大)
和T
ASC
t
ASC (最大)
和T
CP
t
CP (最大值)。
9 :假设吨
RCD
t
RCD (最大)
和T
拉德
t
RAD (最大值)。
如果T
RCD
或T
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了吨
RCD
超出显示的值。
10 :假设吨
拉德
t
RAD (最大值)
和T
ASC
t
ASC (最大值)。
11 :假设吨
CP
t
CP( MAX)的
和T
ASC
t
ASC (最大值)。
12: t
关( MAX)的
和T
OEZ (最大)
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间(我
OUT
±
10
µ
A) ,而不是引用
到V
OH (分钟)
或V
OL (最大值)。
9
三菱
六月1999
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