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描述:
FYS-10012EXX-4  FYS-10012FXX  NCS2535DTR2G  FYS-10012DXX-1  FYS-10012DX-4  FYS-10012FXX-2  NCS2535  FYS-10012DXX  NCS2553  NCS2554  
M5M465160BTP-5S 快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM (FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M465160BTP-5S
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描述: 快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   361 K    
页数 : 37 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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(修订版1.1 )
三菱的LSI
M5M467400 / 465400BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M467800 / 465800BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M465160BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
快速页模式67108864位( 8388608 - WORD 8 - BIT)动态RAM
快速页模式67108864位( 4194304 - WORD 16 - BIT)动态RAM
描述
该M5M467400 / 465400BJ , BTP组织16777216字由4位, M5M467800 / 465800BJ , BTP组织8388608字经
8位和M5M465160BJ , BTP组织4194304字由16位动态RAM ,制造与高性能CMOS
的过程中,并适用于高速和低功耗的大容量存储器的系统。
采用双层铝过程结合CMOS技术和单晶体管动态存储堆叠
电容器电池提供高的电路密度。复用的地址输入许可既减少在销,并增加了系统
密度。
特点
型号名称
M5M467400BXX-5,5S
M5M467800BXX-5,5S
M5M467400BXX-6,6S
M5M467800BXX-6,6S
M5M465400BXX-5,5S
M5M465800BXX-5,5S
M5M465400BXX-6,6S
M5M465800BXX-6,6S
地址
动力
RAS
OE
CAS
周期
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
耗散
时间
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
型号名称
M5M465160BXX-5,5S
M5M465160BXX-6,6S
动力
地址
RAS
CAS
OE
周期
耗散
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
时间
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
50
60
50
60
13
15
13
15
25
30
25
30
13
15
13
15
90
110
90
110
300
250
390
325
50
60
13
15
25
30
13
15
90
110
420
390
XX = j的, TP
标准的32引脚SOJ , 32引脚TSOP ( M5M467400Bxx / M5M465400Bxx / M5M467800Bxx / M5M465800Bxx )
标准的50引脚SOJ , 50引脚TSOP ( M5M465160Bxx )
单3.3
±
0.3V电源
低待机功耗
1.8MW (最大)
LVCMOS输入电平
低工作功耗
M5M467400Bxx - 5,5S / M5M467800Bxx - 5,5S
360.0mW (最大)
M5M467400Bxx - 6,6S / M5M467800Bxx - 6,6S
324.0mW (最大)
M5M465400Bxx - 5,5S / M5M465800Bxx - 5,5S
468.0mW (最大)
M5M465400Bxx - 6,6S / M5M465800Bxx - 6,6S
432.0mW (最大)
M5M465160Bxx-5,5S
504.0mW (最大)
M5M465160Bxx-6,6S
468.0mW (最大)
自刷新功能*
自刷新电流
400μA (最大值)
快页模式下,读 - 修改 - 写, CAS RAS刷新,隐藏刷新功能之前,
早期写模式和OE控制输出缓冲器阻抗
所有的输入,输出LVTTL兼容,低电容
*
:适用于自刷新版本( M5M467400 / 465400 / 465800分之467800 / 465160BJ , BTP -5S , -6S :选项)只
地址
产品型号
行添加胶原添加
刷新
刷新周期
正常
S-版
RAS只有编号,一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒
M5M467400Bxx A0 - A12 A0 -A10
CBR文献,参考文献隐藏
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
M5M465400Bxx A0 -A11 A0 -A11
RAS只有编号,一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
RAS只有编号,一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒
M5M467800Bxx A0 - A12 A0 -A9
CBR文献,参考文献隐藏
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
M5M465800Bxx A0 -A11 A0 -A10
RAS只有编号,一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
M5M465160Bxx A0 -A11 A0 -A9
RAS只有编号,一般R / W
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
应用
计算机主存储器单元,微机内存,内存刷新为CRT
1
三菱
六月1999
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