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描述:
ZXLD1370  ZXLD1370_11  ZXLD1374EST20TC  ZXLD1370  ZXLD1371  ZXLD1374_11  ZXLD381  ZXLD1615  ZXLD1366_10  ZXLD1370EST16TC  
M5M465160DTP-6 快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM (FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M465160DTP-6
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描述: 快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
FAST PAGE MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   245 K    
页数 : 37 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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三菱的LSI
M5M467400 / 465400DJ , DTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M467800 / 465800DJ , DTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M465160DJ , DTP -5,-6 , -5S , -6S
快速页模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
快速页模式67108864位( 8388608 - WORD 8 - BIT)动态RAM
快速页模式67108864位( 4194304 - WORD 16 - BIT)动态RAM
初步
描述
该M5M467400 / 465400DJ , DTP是16777216字由4位, M5M467800 / 465800DJ , DTP是8388608字由8位,而
M5M465160DJ , DTP是4194304字由16位动态RAM ,制造与高性能的CMOS工艺,并
适用于高速和低功耗的大容量存储器的系统。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
特点
型号名称
M5M467400DXX-5,5S
M5M467800DXX-5,5S
M5M467400DXX-6,6S
M5M467800DXX-6,6S
M5M465400DXX-5,5S
M5M465800DXX-5,5S
M5M465400DXX-6,6S
M5M465800DXX-6,6S
地址
动力
RAS
OE
CAS
周期
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
耗散
时间
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
型号名称
M5M465160DXX-5,5S
M5M465160DXX-6,6S
动力
地址
RAS
CAS
OE
周期
耗散
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
时间
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
50
60
50
60
13
15
13
15
25
30
25
30
13
15
13
15
90
110
90
110
300
250
390
325
50
60
13
15
25
30
13
15
90
110
420
390
XX = j的, TP
标准的32引脚SOJ , 32引脚TSOP ( M5M467400Dxx / M5M465400Dxx / M5M467800Dxx / M5M465800Dxx )
标准的50引脚SOJ , 50引脚TSOP ( M5M465160Dxx )
单3.3
±
0.3V电源
低待机功耗
1.8MW (最大)
LVCMOS输入电平
低工作功耗
M5M467400Dxx - 5,5S / M5M467800Dxx - 5,5S
360.0mW (最大)
M5M467400Dxx - 6,6S / M5M467800Dxx - 6,6S
324.0mW (最大)
M5M465400Dxx - 5,5S / M5M465800Dxx - 5,5S
468.0mW (最大)
M5M465400Dxx - 6,6S / M5M465800Dxx - 6,6S
432.0mW (最大)
M5M465160Dxx-5,5S
504.0mW (最大)
M5M465160Dxx-6,6S
468.0mW (最大)
自刷新功能*
自刷新电流
400μA (最大值)
快页模式下,读 - 修改 - 写, CAS RAS刷新,隐藏刷新功能之前,
早期写模式和OE控制输出缓冲器阻抗
所有的输入,输出LVTTL兼容,低电容
*
:适用于自刷新版本( M5M467400 / 465400 / 465800分之467800 / 465160DJ , DTP -5S , -6S :选项)只
地址
产品型号
行添加。上校添加。
刷新
刷新周期
正常
S-版
RAS只有编号,一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒
M5M467400Dxx A0 -A12
M5M465400Dxx A0 -A11
M5M467800Dxx A0 -A12
A0-A10
CBR文献,参考文献隐藏
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
A0-A11
RAS只有编号,一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
RAS只有编号,一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒
A0-A9
CBR文献,参考文献隐藏
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
M5M465800Dxx A0 -A11 A0 -A10
RAS只有编号,一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
M5M465160Dxx A0 -A11 A0 -A9
RAS只有编号,一般R / W
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
应用
计算机主存储器单元,微机内存,内存刷新为CRT
1
1999年8月
三菱电机
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