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描述:
TXD20008BBFLLDH  TXD20008AHFLLDH  BUS-65142-100K  TXC-05840  TXC-06125-ACPL  TXD20008BDFLLDH  BUS-65142-110S  TXC05810  BUS-65142-110Z  BUS-65142-100  
M5M465165BTP-6S EDO模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM (EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M465165BTP-6S
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描述: EDO模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   402 K    
页数 : 39 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
(修订版1.1 )
三菱的LSI
M5M467405 / 465405BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M467805 / 465805BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M465165BJ , BTP -5,-6 , -5S , -6S
EDO模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
EDO模式67108864位( 8388608 - WORD 8 - BIT)动态RAM
EDO模式67108864位( 4194304 - WORD 16 - BIT)动态RAM
M5M465165Bxx
框图
行地址
RAS
选通输入
低字节控制LCAS
列地址
选通输入
高字节控制UCAS
列地址
选通输入
写控制输入
W
时钟发生器
电路
(8)LOWER
V
CC ( 3.3V )
V
SS (0V)
缓冲器
DATA IN
DQ
1
DQ
2
较低的数据
输入/输出
DQ
8
数据输出
DATA IN
(8)LOWER
A
0
~A
9
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
列解码器
缓冲器
(8)UPPER
缓冲器
地址缓冲器
ROW & COLUMN
SENSE刷新
放大器& I / O
控制
DQ
9
DQ
10
上面的数据
输入/输出
DQ
16
行解码器
A
0
~
A
11
记忆细胞
(67108864BITS)
缓冲器
(8)UPPER
地址输入
数据输出
OE输出使能
输入
6
三菱
六月1999
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