（ 1.0版）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405DJ ， DTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805DJ ， DTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165DJ ， DTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

初步

描述

该M5M467405 / 465405DJ ， DTP是16777216字由4位， M5M467805 / 465805DJ ， DTP是8388608字由8位，而

M5M465165DJ ， DTP是4194304字由16位动态RAM ，制造与高性能的CMOS工艺，并

适用于高速和低功耗的大容量存储器的系统。

有些内容如有变更，恕不另行通知。

特点

型号名称

M5M467405DXX-5,5S

M5M467805DXX-5,5S

M5M467405DXX-6,6S

M5M467805DXX-6,6S

M5M465405DXX-5,5S

M5M465805DXX-5,5S

M5M465405DXX-6,6S

M5M465805DXX-6,6S

地址

动力

RAS

OE

CAS

周期

ACCESS ACCESS ACCESS

ACCESS

耗散

时间

化

时间

时间

时间

时间

（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）

型号名称

动力

地址

RAS

CAS

OE

周期

耗散

ACCESS ACCESS ACCESS

ACCESS

时间

时间

化

时间

时间

时间

（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）

50

60

50

60

13

15

13

15

25

30

25

30

13

15

13

15

84

104

84

104

300

250

390

325

M5M465165DXX-5,5S

M5M465165DXX-6,6S

50

60

13

15

25

30

13

15

84

104

420

390

XX = j的， TP

标准的32引脚SOJ ， 32引脚TSOP （ M5M467405Dxx / M5M465405Dxx / M5M467805Dxx / M5M465805Dxx ）

标准的50引脚SOJ ， 50引脚TSOP （ M5M465165Dxx ）

单3.3

±

0.3V电源

低待机功耗

1.8MW （最大）

LVCMOS输入电平

低工作功耗

M5M467405Dxx - 5,5S / M5M467805Dxx - 5,5S

360.0mW （最大）

M5M467405Dxx - 6,6S / M5M467805Dxx - 6,6S

324.0mW （最大）

M5M465405Dxx - 5,5S / M5M465805Dxx - 5,5S

468.0mW （最大）

M5M465405Dxx - 6,6S / M5M465805Dxx - 6,6S

432.0mW （最大）

M5M465165Dxx-5,5S

504.0mW （最大）

M5M465165Dxx-6,6S

468.0mW （最大）

自刷新功能*

自刷新电流

400μA （最大值）

EDO模式，读 - 修改 - 写， CAS RAS刷新，隐藏刷新功能之前，

早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗

所有的输入，输出LVTTL兼容，低电容

*

：适用于自刷新版本（ M5M467405 / 465405 / 465805分之467805 / 465165DJ ， DTP -5S ， -6S ：选项）只

地址

产品型号

行添加。上校添加。

刷新

刷新周期

正常

S-版

RAS只有编号，一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒

M5M467405Dxx A0 -A12

M5M465405Dxx A0 -A11

M5M467805Dxx A0 -A12

M5M465805Dxx A0 -A11

M5M465165Dxx A0 -A11

A0-A10

CBR文献，参考文献隐藏

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

A0-A11

RAS只有编号，一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

RAS只有编号，一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒

A0-A9

CBR文献，参考文献隐藏

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

A0-A10

RAS只有编号，一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

A0-A9

RAS只有编号，一般R / W

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

应用

计算机主存储器单元，微机内存，内存刷新为CRT

1

1999年8月

三菱电机