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M5M465165DTP-5 EDO模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM (EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM)
.型号:   M5M465165DTP-5
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描述: EDO模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
EDO MODE 67108864-BIT (16777216-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
文件大小 :   272 K    
页数 : 39 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
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三菱的LSI
M5M467405 / 465405DJ , DTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M467805 / 465805DJ , DTP -5,-6 , -5S , -6S
M5M465165DJ , DTP -5,-6 , -5S , -6S
EDO模式67108864位( 16777216 - WORD 4位)动态RAM
EDO模式67108864位( 8388608 - WORD 8 - BIT)动态RAM
EDO模式67108864位( 4194304 - WORD 16 - BIT)动态RAM
初步
描述
该M5M467405 / 465405DJ , DTP是16777216字由4位, M5M467805 / 465805DJ , DTP是8388608字由8位,而
M5M465165DJ , DTP是4194304字由16位动态RAM ,制造与高性能的CMOS工艺,并
适用于高速和低功耗的大容量存储器的系统。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
特点
型号名称
M5M467405DXX-5,5S
M5M467805DXX-5,5S
M5M467405DXX-6,6S
M5M467805DXX-6,6S
M5M465405DXX-5,5S
M5M465805DXX-5,5S
M5M465405DXX-6,6S
M5M465805DXX-6,6S
地址
动力
RAS
OE
CAS
周期
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
耗散
时间
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
型号名称
动力
地址
RAS
CAS
OE
周期
耗散
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
时间
时间
时间
时间
时间
( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( max.ns ) ( min.ns ) ( typ.mW )
50
60
50
60
13
15
13
15
25
30
25
30
13
15
13
15
84
104
84
104
300
250
390
325
M5M465165DXX-5,5S
M5M465165DXX-6,6S
50
60
13
15
25
30
13
15
84
104
420
390
XX = j的, TP
标准的32引脚SOJ , 32引脚TSOP ( M5M467405Dxx / M5M465405Dxx / M5M467805Dxx / M5M465805Dxx )
标准的50引脚SOJ , 50引脚TSOP ( M5M465165Dxx )
单3.3
±
0.3V电源
低待机功耗
1.8MW (最大)
LVCMOS输入电平
低工作功耗
M5M467405Dxx - 5,5S / M5M467805Dxx - 5,5S
360.0mW (最大)
M5M467405Dxx - 6,6S / M5M467805Dxx - 6,6S
324.0mW (最大)
M5M465405Dxx - 5,5S / M5M465805Dxx - 5,5S
468.0mW (最大)
M5M465405Dxx - 6,6S / M5M465805Dxx - 6,6S
432.0mW (最大)
M5M465165Dxx-5,5S
504.0mW (最大)
M5M465165Dxx-6,6S
468.0mW (最大)
自刷新功能*
自刷新电流
400μA (最大值)
EDO模式,读 - 修改 - 写, CAS RAS刷新,隐藏刷新功能之前,
早期读写模式, OE和W来控制输出缓冲器阻抗
所有的输入,输出LVTTL兼容,低电容
*
:适用于自刷新版本( M5M467405 / 465405 / 465805分之467805 / 465165DJ , DTP -5S , -6S :选项)只
地址
产品型号
行添加。上校添加。
刷新
刷新周期
正常
S-版
RAS只有编号,一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒
M5M467405Dxx A0 -A12
M5M465405Dxx A0 -A11
M5M467805Dxx A0 -A12
M5M465805Dxx A0 -A11
M5M465165Dxx A0 -A11
A0-A10
CBR文献,参考文献隐藏
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
A0-A11
RAS只有编号,一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
RAS只有编号,一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒
A0-A9
CBR文献,参考文献隐藏
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
A0-A10
RAS只有编号,一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
A0-A9
RAS只有编号,一般R / W
4096 / 64ms的4096 / 128毫秒
CBR文献,参考文献隐藏
应用
计算机主存储器单元,微机内存,内存刷新为CRT
1
1999年8月
三菱电机
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