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三菱晶体管模块
QM20TD-HB
中功率切换使用
绝缘型
QM20TD-HB
I
C
集电极电流..........................
20A
V
CEX
集电极 - 发射极电压...........
600V
h
FE
直流电流增益.............................
250
绝缘型
UL认可
黄牌号E80276 (N )
文件编号E80271
应用
变频器,伺服驱动器,直流电机控制器,数控设备,焊接机
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
(30.5)
11
7 15
25.5
7
15
25.5
2
7
(23.5)
φ5.5
φ1.2
图。 1
4
2.8
图。 2
8.0
6.35
φ1.65
3.4
BVP
EVP
v
BVN
EVN
18
28
45
8.6
1.5 5.5
76
93
105
标签# 250 , t为0.8 (图2)
标签# 110 , t为0.5(图1)的
P
BUP
EUP
u
包子
EUN
N
BWP
EWP
w
BWN
EWN
(22.45)
7
13
LABEL
注:所有晶体管单元的达林顿。
1.5
9.5
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM20TD-HB
中功率切换使用
绝缘型
绝对最大额定值
符号
V
CEX ( SUS)
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
–I
C
P
C
I
B
–I
CSM
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极反向电流
集电极耗散
基极电流
浪涌集电极反向电流
(正向二极管电流)
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
( TJ = 25 ℃,除非另有说明)
条件
I
C
= 1A ,V
EB
=2V
V
EB
=2V
发射极开路
集电极开路
DC
DC (正向二极管电流)
T
C
=25°C
DC
60赫兹的一个周期内的峰值(半波)
评级
600
600
600
7
20
20
83
1
200
–40~+150
–40~+125
收取一部分的情况下, AC 1分钟
安装螺钉M5
典型的价值
2500
1.47~1.96
15~20
90
单位
V
V
V
V
A
A
W
A
A
°C
°C
V
N·m的
Kg‧cm
g
电气特性
符号
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
–V
首席执行官
h
FE
t
on
t
s
t
f
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
热阻
(结点到外壳)
接触热阻
(案例鳍)
开关时间
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极反向电压
直流电流增益
( TJ = 25 ℃,除非另有说明)
范围
测试条件
V
CE
=600V, V
EB
=2V
V
CB
= 600V ,发射极开路
V
EB
=7V
I
C
= 20A ,我
B
=80mA
–I
C
= 20A (二极管的正向电压)
I
C
= 20A ,V
CE
=2V
分钟。
250
V
CC
= 300V ,我
C
= 20A ,我
B1
= 120毫安,我
B2
=–400mA
晶体管部分(每1/6模块)
二极管的部分(每1/6模块)
导电脂(每1/6模块)应用
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
40
2.0
2.5
1.5
1.5
12
2.0
1.5
2.5
0.35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
µs
µs
µs
°C/
W
°C/
W
°C/
W
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM20TD-HB
中功率切换使用
绝缘型
性能曲线
共发射极输出
特性(典型值)
50
集电极电流I
C
(A)
T
j
=25°C
40
I
B
=400mA
I
B
=200mA
I
B
=80mA
I
B
=40mA
20
I
B
=20mA
直流电流增益ħ
FE
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
0
2
V
CE
=5.0V
直流电流增益主场迎战
集电极电流(典型值)
30
V
CE
=2.0V
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压
集电极电流I
C
(A)
饱和电压V
CE (SAT)
, V
BE (SAT)
(V)
共发射极输入
特性(典型值)
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
7
5
4
3
2
10
–2
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
V
BE
(V)
3.0
V
CE
=2.0V
T
j
=25°C
饱和电压
特性(典型值)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
10
0
基极电流I
B
(A)
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
I
B
=80mA
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
基射极电压
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压(典型值)
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE
(SAT)
(V)
5
t
on
, t
s
, t
f
(µs)
T
j
=25°C
T
j
=125°C
4
I
C
=25A
3
2
10
1
7
5
4
3
2
切换时间VS.集热器
电流(典型值)
V
CC
=300V
I
B1
=120mA
I
B2
=–400mA
3
t
s
2
开关时间
1
I
C
=15A
I
C
=20A
0
10
–2
2 3 4 5 7 10
–1
2 3 4 5 7 10
0
t
f
10
0
7
5 t
on
4
3
10
0
2 3 4 5 7 10
1
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
2
I
C
(A)
基极电流I
B
(A)
集电极电流
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM20TD-HB
中功率切换使用
绝缘型
切换时间VS. BASE
电流(典型值)
3
2
t
s
, t
f
(µs)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
10
–1
V
CC
=300V
I
B1
=120mA
I
C
=20A
T
j
=25°C
T
j
=125°C
t
s
反向偏置安全工作区
50
T
j
=125°C
集电极电流I
C
(A)
40
I
B2
=–3A
I
B2
=–0.5A
开关时间
30
20
t
f
10
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
V
CE
(V)
BASE反向电流-I
B2
(A)
集电极 - 发射极电压
正向偏置安全工作区
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
DC
作者F. B. S. A. O.降额系数
100
集电极电流I
C
(A)
100µs
90
降额系数( % )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
集热器
耗散
第二
击穿
区域
50
µs
20
s
1m
s
s
5m
10
0
7
5
3
2 T
C
=25°C
非重复性
10
–1
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
2 3 4 5 7 10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极反向电流-I
C
(A)
瞬态热阻抗
特性(晶体管)
10
0
2 3 4 5 710
1
2.0
1.8
1.6
Z
日(J -C )
( ° C / W)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–3
2 3 4 5 710
–2
2 3 4 5 7 10
–1
2 3 4 5 7 10
0
时间(s)
10
m
s
80 100 120 140 160
T
C
(°C)
外壳温度
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
反向集电极电流VS.
集电极 - 发射极反向
电压(二极管正向
特性) (典型值)
T
j
=25°C
T
j
=125°C
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
0
0.4
集电极 - 发射极反向电压
–V
首席执行官
(V)
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM20TD-HB
中功率切换使用
绝缘型
额定浪涌集电极反向电流
(二极管正向浪涌电流)
浪涌集电极反向电流
–I
CSM
(A)
200
180
160
I
rr
(A ) ,Q
rr
(µc)
140
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
反向恢复特性
的续流二极管(典型值)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
10
0
10
2
V
CC
=300V
I
B1
=120mA
I
B2
=–400mA
Q
rr
t
rr
(µs)
I
rr
t
rr
10
1
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
1
10
0
2 3 4 5 7 10
2
导通时间(周期为60Hz )
正向电流I
F
(A)
瞬态热阻抗
特性(二极管)
10
0
2 3 5 710
1
3.2
2.8
2.4
Z
日(J -C )
( ° C / W)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间(s)
Feb.1999
相关元器件产品Datasheet PDF文档

QM200DY24

TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
42 icpdf_datashe

QM200DY-24

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
35 MITSUBISHI

QM200DY24B

TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
30 icpdf_datashe

QM200DY-24B

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
31 MITSUBISHI

QM200DY2H

TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C)
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QM200DY-2H

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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