MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
三菱晶体管模块
QM30DY-24
中功率切换使用
绝缘型
QM30DY-24
I
C
集电极电流..........................
30A
V
CEX
集电极 - 发射极电压.........
1200V
h
FE
直流电流增益...............................
75
绝缘型
UL认可
黄牌号E80276 (N )
文件编号E80271
应用
AC马达控制器, UPS , CVCF ,直流电机控制器,数控设备,焊工
外形绘图&电路图
尺寸(mm)
94
(7)
23
23
80
23
φ6.5
B
2
E
2
(7)
B
2
E
2
C
1
C
2
E
1
E
2
10.5 13 10.5
34
C
2
E
1
E
2
C
1
12
E
1
B
1
M5
Tab#110,
t=0.5
E
1
B
1
31
LABEL
(8)
22.5
6.5
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM30DY-24
中功率切换使用
绝缘型
绝对最大额定值
符号
V
CEX ( SUS)
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
–I
C
P
C
I
B
–I
CSM
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极反向电流
集电极耗散
基极电流
浪涌集电极反向电流
(正向二极管电流)
结温
储存温度
隔离电压
( TJ = 25 ℃,除非另有说明)
条件
I
C
= 1A ,V
EB
=2V
V
EB
=2V
发射极开路
集电极开路
DC
DC (正向二极管电流)
T
C
=25°C
DC
60赫兹的一个周期内的峰值(半波)
评级
1200
1200
1200
7
30
30
300
2
300
–40~+150
–40~+125
收取一部分的情况下, AC 1分钟
主端子螺钉M5
2500
1.47~1.96
15~20
1.96~2.94
20~30
210
单位
V
V
V
V
A
A
W
A
A
°C
°C
V
N·m的
Kg‧cm
N·m的
Kg‧cm
g
安装力矩
安装螺钉M6
重量
典型的价值
电气特性
符号
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
–V
首席执行官
h
FE
t
on
t
s
t
f
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
热阻
(结点到外壳)
接触热阻
(案例鳍)
开关时间
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极反向电压
直流电流增益
( TJ = 25 ℃,除非另有说明)
范围
测试条件
V
CE
=1200V, V
EB
=2V
V
CB
= 1200V ,发射极开路
V
EB
=7V
I
C
= 30A ,我
B
=0.6A
–I
C
= 30A (二极管的正向电压)
I
C
= 30A ,V
CE
=5V
分钟。
75
V
CC
= 600V ,我
C
= 30A ,我
B1
=–I
B2
=0.6A
晶体管部分(每1/2模块)
二极管的部分(每1/2模块)
导电脂(每1/2模块)应用
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
200
3.0
3.5
1.8
2.5
15
3.0
0.4
1.5
0.15
单位
mA
mA
mA
V
V
V
µs
µs
µs
°C/
W
°C/
W
°C/
W
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM30DY-24
中功率切换使用
绝缘型
性能曲线
共发射极输出
特性(典型值)
50
T
j
=25°C
3
2
I
B
=1.0A
I
B
=0.6A
30
I
B
=0.4A
20
I
B
=0.2A
I
B
=0.1A
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
CE
=5.0V
直流电流增益主场迎战
集电极电流(典型值)
集电极电流I
C
(A)
直流电流增益ħ
FE
40
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
10
0
0
0
1
2
3
4
5
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
饱和电压V
CE (SAT)
, V
BE (SAT)
(V)
共发射极输入
特性(典型值)
10
1
7 T
j
=25°C
5 V
CE
=2.8V
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
3.4
饱和电压
特性(典型值)
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
基极电流I
B
(A)
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
10
–1
10
0
T
j
=25°C
T
j
=125°C
I
B
=0.6A
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
基射极电压
V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压(典型值)
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE
(SAT)
(V)
5
3
切换时间VS.集热器
电流(典型值)
t
on
, t
s
, t
f
(µs)
2
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
10
0
t
s
4
3
2
I
C
=30A
I
C
=20A
I
C
=10A
T
j
=25°C
T
j
=125°C
开关时间
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
CC
=600V
I
B1
=–I
B2
=0.6A
t
on
t
f
1
0
10
–2
2 3 4 5 710
–1
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
基极电流I
B
(A)
集电极电流
I
C
(A)
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM30DY-24
中功率切换使用
绝缘型
切换时间VS. BASE
电流(典型值)
3
反向偏置安全工作区
80
开关时间
10
1
7
5
4
3
2
集电极电流I
C
(A)
2
t
s
, t
f
(µs)
t
s
T
j
=125°C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
I
B2
=–1A
t
f
T
j
=25°C
10
0
T
j
=125°C
7 V
CC
=600V
5 I
B1
=0.6A
4
I
C
=30A
3
10
–1
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
BASE反向电流-I
B2
(A)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
正向偏置安全工作区
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
100
1m
作者F. B. S. A. O.降额系数
集电极电流I
C
(A)
90
S
降额系数( % )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
集热器
耗散
第二
击穿
区域
µ
100
S
200
µ
S
10
0
7
5
3 T
C
=25°C
2
不重复
10
–1
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
2 3 4 5 7 10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极反向电流-I
C
(A)
瞬态热阻抗
特性(晶体管)
10
0
2 3 45 710
1
2 3 4 5
0.5
0.4
D
C
50µ
S
80 100 120 140 160
外壳温度
T
C
(°C)
Z
日(J -C )
( ° C / W)
10
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
反向集电极电流VS.
集电极 - 发射极反向
电压(二极管正向
特性) (典型值)
2
0.3
0.2
0.1
0
10
–3
2 3 4 5 710
–2
2 3 4 5 710
–1
2 3 4 5 7 10
0
T
j
=25°C
T
j
=125°C
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
0
0.4
时间(s)
集电极 - 发射极反向电压
–V
首席执行官
(V)
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM30DY-24
中功率切换使用
绝缘型
额定浪涌集电极反向电流
(二极管正向浪涌电流)
浪涌集电极反向电流
–I
CSM
(A)
500
反向恢复特性
的续流二极管(典型值)
10
2
7
5
3
2
I
rr
(A ) ,Q
rr
(µc)
10
1
7
5
3
2
I
rr
10
2
T
j
=25°C
T
j
=125°C
400
10
1
t
rr
(µs)
300
200
100
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
10
0
Q
rr
10
0
7
5
3
V
CC
=600V
t
rr
2
I
B1
=–I
B2
=0.6A
10
–1
10
–1
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
2 3 4 5 7 10
3
正向电流I
F
(A)
导通时间(周期为60Hz )
瞬态热阻抗
特性(二极管)
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7
2.0
1.6
Z
日(J -C )
( ° C / W)
1.2
0.8
0.4
0
10
–3
2 3 4 5 710
–2
2 3 4 5 710
–1
2 3 4 5 7 10
0
时间(s)
Feb.1999
相关元器件产品Datasheet PDF文档

QM3001K

P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Advanced high cell density Trench technology
135 TYSEMI

QM3007K

P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Advanced high cell density Trench technology
84 TYSEMI

QM300DY24

TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 300A I(C)
59 icpdf_datashe

QM300DY-24

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
37 MITSUBISHI

QM300DY24B

TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 300A I(C)
19 icpdf_datashe

QM300DY-24B

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
32 MITSUBISHI