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RA18H1213G-101 1.24-1.30GHz 18W 12.5V , 3级放大器。对于移动电 (1.24-1.30GHz 18W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO)
.型号:   RA18H1213G-101
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描述: 1.24-1.30GHz 18W 12.5V , 3级放大器。对于移动电
1.24-1.30GHz 18W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO
文件大小 :   95 K    
页数 : 9 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA18H1213G
框图
符合RoHS指令,
1.24-1.30GHz 18W 12.5V , 3级放大器。对于移动电
描述
该RA18H1213G是一个18瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于1.24-到移动无线电
1.30 - GHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。输出
功率和漏电流增加,作为栅电压的增加。
周围4V (最低) ,输出功率栅极电压和
基本上漏电流增大。额定输出功率
可用在4.5V (典型值)和5V (最大) 。在
V
GG
= 5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
•增强型MOSFET晶体管
(I
DD
≅0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
• P
OUT
>18W,
η
T
>20 %@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ,P
in
=200mW
•宽带频率范围: 1.24-1.30GHz
•低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=5V
•模块尺寸: 66 ×21× 9.88毫米
•线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
封装代码: H2S
符合RoHS标准
• RA18H1213G - 101是符合RoHS标准的产品。
•符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
•本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往,它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中,电子部件的玻璃,以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息:
订单号
RA18H1213G-101
供货形式
防静电托盘,
10个模块/托盘
RA18H1213G
2010年6月24日
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