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SN74LV573APW  SN74LV595ARGYR  SN74LV573APWRG4  SN74LV595APWR  SN74LV574DW  SN74LV573ARGYR  SN74LV573APWT  SN74LV594ADB  SN74LV574ADGVRE4  SN74LV4053APWTE4  
RD30HUF1 硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W (Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W)
.型号:   RD30HUF1
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描述: 硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
文件大小 :   399 K    
页数 : 7 页
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品牌   MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD30HUF1
制图
22.0+/-0.3
18.0+/-0.3
7.6+/-0.3
4-C1
符合RoHS指令,
描述
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
概要
RD30HUF1是MOS FET型晶体管专
专为超高频射频功率放大器应用。
7.2+/-0.5
高功率增益:
Pout>30W , Gp>10dB @ VDD = 12.5V , F = 520MHz的
高效率: 55 % (典型值) 。
2
3
R1.6
14.0+/-0.4
6.6+/-0.3
特点
1
3.0+/-0.4
5.1+/-0.5
对高功率放大器的超高频输出级
带移动无线电设备。
2.3+/-0.3
应用
2.8+/-0.3
0.10
1.Drain
2.Source
3.Gate
单位:mm
符合RoHS
RD30HUF1-101
是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS标准由后面的字母“G”表示
该地块标记。
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
PCH
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J- ç
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
30
+/-20
75
7.5
7
175
-40到+175
2.0
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
注1 :以上参数是独立的保证。
电气特性
(Tc=25
°C
中,除非另有说明)
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
ηD1
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V,我
DS
=1mA
f=520MHz,V
DD
=12.5V
Pin=3W,Idq=1.0A
V
DD
=15.2V,Po=30W(PinControl)
f=520MHz,Idq=1.0A,Zg=50
负载VSWR = 20 : 1 (全期)
-
-
1.2
30
50
范围
典型值
马克斯。
-
200
-
1
1.7
2.2
35
-
55
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
-
注:以上参数,收视率,限制和条件可能发生变化。
RD30HUF1
三菱电机
1/7
2006年1月10日
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