MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD30HUF1
制图
22.0+/-0.3
18.0+/-0.3
7.6+/-0.3
4-C1
符合RoHS指令,
描述
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
概要
RD30HUF1是MOS FET型晶体管专
专为超高频射频功率放大器应用。
7.2+/-0.5
高功率增益:
Pout>30W , Gp>10dB @ VDD = 12.5V , F = 520MHz的
高效率: 55 % (典型值) 。
2
3
R1.6
14.0+/-0.4
6.6+/-0.3
特点
1
3.0+/-0.4
5.1+/-0.5
对高功率放大器的超高频输出级
带移动无线电设备。
2.3+/-0.3
应用
2.8+/-0.3
0.10
1.Drain
2.Source
3.Gate
单位:mm
符合RoHS
RD30HUF1-101
是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS标准由后面的字母“G”表示
该地块标记。
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
PCH
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J- ç
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
30
+/-20
75
7.5
7
175
-40到+175
2.0
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
注1 :以上参数是独立的保证。
电气特性
(Tc=25
°C
中,除非另有说明)
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
ηD1
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V,我
DS
=1mA
f=520MHz,V
DD
=12.5V
Pin=3W,Idq=1.0A
V
DD
=15.2V,Po=30W(PinControl)
f=520MHz,Idq=1.0A,Zg=50
负载VSWR = 20 : 1 (全期)
-
-
1.2
30
50
范围
典型值
马克斯。
-
200
-
1
1.7
2.2
35
-
55
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
-
注:以上参数,收视率,限制和条件可能发生变化。
RD30HUF1
三菱电机
1/7
2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD30HUF1
VGS -IDS特征
10
8
6
4
2
0
Ta=+25°C
Vds=10V
符合RoHS指令,
典型特征
CHANNNEL损耗 -
环境温度
100
散热通道
P沟(W)的
80
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
40
20
0
0
40
80
120 160 200
环境温度Ta ( ° C)
IDS ( A)
60
0
1
2
3
VGS ( V)
4
5
VDS- IDS特征
10
Ta=+25°C
Vgs=5V
VDS VS.西塞特性
140
120
Vgs=4.5V
8
6
4
2
0
0
2
4
6
VDS ( V)
8
10
100
西塞(PF )
80
60
40
20
0
0
IDS ( A)
Vgs=4V
Ta=+25°C
f=1MHz
Vgs=3.5V
Vgs=3V
Vgs=2.5V
5
10
VDS ( V)
15
20
VDS VS.科斯特性
120
100
COSS (PF )
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS ( V)
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
16
14
12
CRSS (PF )
10
8
6
4
2
0
0
5
10
VDS ( V)
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
RD30HUF1
三菱电机
2/7
2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD30HUF1
销宝特点
符合RoHS指令,
典型特征
销宝特点
50
40
30
20
10
I�½��½�
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=1.0A
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
100
Po
50
Po
100
80
60
ηd
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=1.0A
宝(DBM ) ,GP (分贝) ,国际直拨电话( A)
80
噘嘴(W ) ,国际直拨电话( A)
η
�½�
40
30
20
10
0
0
2
4
销(W)的
6
8
ηd(%)
Gp
40
20
0
40
20
0
国际直拨电话
0
10
20
PIN ( DBM)
30
40
VDD -宝特征
50
40
30
20
10
0
4
6
8
10
Vdd的(V)的
12
14
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=3W
Icq=1.0A
ZG = ZI = 50欧姆
VGS -IDS特征2
10
8
6
4
2
0
10
8
6
4
2
0
1.5
2.5
3.5
VGS ( V)
4.5
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
-25°C
+25°C
Po
宝( W)
国际直拨电话
RD30HUF1
IDD ( A)
IDS ( A)
+75°C
三菱电机
3/7
2006年1月10日
ηd(%)
60
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD30HUF1
VDD
符合RoHS指令,
测试电路( F = 520MHz的)
VGG
C1
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
9.1kOHM
5pF的15pF的
8.2kOHM
100OHM
7pF
L1
520MHz
RD30HUF1
L2
RF -OUT
C2
5pF
L3
C3
RF-在
56pF
56pF
为15pF 15pF的15pF的
5
10
12
90
100
15pF的5pF的7pF的15pF的
5
8
14
90
100
注:板料,聚四氟乙烯基板
8
4.8
10.8
C1 : 2200pF 10uF的并行
C2 : 2200pF * 2并行
C3 : 2200pF , 330UF并行
L1 : 3Turns , I.D6mm , D1.6mm P = 1银plateted铜线
L2 : 2Turns , I.D6mm , D1.6mm P = 1银plateted铜线
L3 : 4Turns , I.D6mm , D1.6mm P = 1银plateted铜线
微带线的宽度= 4.2毫米/ 50OHM , ER : 2.7 , T = 1.6毫米
外形尺寸:毫米
RD30HUF1
三菱电机
4/7
2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD30HUF1
符合RoHS指令,
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W
输入/输出阻抗VS.FREQUENCY特性
F = 520MHz的寻
F =寻为480MHz
F = 520MHz的ZOUT
F = ZOUT为480MHz
F = 440MHz ZOUT
F = 440MHz寻
Zo=10Ω
ZIN , ZOUT
F
(兆赫)
440
480
520
(欧姆)
1.16-j0.14
0.90+j0.35
0.88+j0.84
ZOUT
(欧姆)
1.17+j0.74
1.15+j1.07
1.47+j1.24
条件
PO = 40W , VDD = 12.5V ,引脚= 3.0W
PO = 38W , VDD = 12.5V ,引脚= 3.0W
PO = 35W , VDD = 12.5V ,引脚= 3.0W
RD30HUF1
三菱电机
5/7
2006年1月10日
相关元器件产品Datasheet PDF文档

RD30HUF1_06

Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
61 MITSUBISHI

RD30HUF1_11

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
29 MITSUBISHI

RD30HVF1

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
176 MITSUBISHI

RD30HVF1

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
144 MITSUBISHI

RD30HVF1

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SOT-391VAR
135 ETC

RD30HVF1

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
64 MITSUBISHI