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XC6204A581DL  XC6204A642DR  XC6204A582DR  XC6204A651ML  XC6204A58AML  XC6204A642ML  XC6204A611DL  XC6204A58ADL  XC6204A562DL  XC6204A611ML  
V53C16126H 高性能128K x 16位的快速页面模式的CMOS动态RAM (HIGH PERFORMANCE 128K X 16 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM)
.型号:   V53C16126H
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描述: 高性能128K x 16位的快速页面模式的CMOS动态RAM
HIGH PERFORMANCE 128K X 16 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
文件大小 :   139 K    
页数 : 18 页
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品牌   MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
购买 :   
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100%
茂矽
V53C16126H
高性能
128K x 16位的快速页面模式
CMOS动态RAM
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
19纳秒
65纳秒
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
特点
s
128K ×16位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
53兆赫
s
RAS访问时间: 30 , 35 , 40 , 45 ,为50ns
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 %的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C16126H是131,072 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C16126H提供快速页面模式
采用双CAS输入。该V53C16126H有
不对称的地址,第9位的行和8位的列。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机存取多达256 ×16
位,页内,与循环时间越短
19ns.
该V53C16126H非常适合宽
各种高性能的计算机系统和
外设应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
访问时间(纳秒)
30
动力
50
T
35
40
45
标准。
温度
标志
空白
V53C16126H修订版1.3 1998年2月
1
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