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茂矽
V53C16126H
高性能
128K x 16位的快速页面模式
CMOS动态RAM
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
19纳秒
65纳秒
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
特点
s
128K ×16位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
53兆赫
s
RAS访问时间: 30 , 35 , 40 , 45 ,为50ns
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 %的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C16126H是131,072 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C16126H提供快速页面模式
采用双CAS输入。该V53C16126H有
不对称的地址,第9位的行和8位的列。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机存取多达256 ×16
位,页内,与循环时间越短
19ns.
该V53C16126H非常适合宽
各种高性能的计算机系统和
外设应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
访问时间(纳秒)
30
动力
50
T
35
40
45
标准。
温度
标志
空白
V53C16126H修订版1.3 1998年2月
1
茂矽
V
5
3
C
16
1
2
6
H
V53C16126H
家庭
设备
PKG
速度
( t
RAC
)
温度。
PWR 。
空( 0 ° C至70 ° C)
BLANK ( NORMAL)
30
35
40
45
50
( 30纳秒)
( 35纳秒)
( 40纳秒)
( 45纳秒)
( 50纳秒)
描述
SOJ
TSOP -II
PKG 。
K
T
引脚数
40
40/44L
K( SOJ )
T( TSOP - II )
16126H-01
40引脚塑料SOJ
引脚配置
顶视图
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
16126H-02
40 / 44L引脚塑料TSOP -II
引脚配置
顶视图
引脚名称
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
A
0
–A
8
RAS
UCAS
地址输入
行地址选通
列地址
频闪/高字节
控制
列地址
频闪/低字节
控制
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入,输出
+ 5V电源
0V供应
无连接
LCAS
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
16126H-03
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
WE
OE
I / O
1
-I / O
16
V
CC
V
SS
NC
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置................................ -10
°
C至+ 80
°
C
存储温度(塑料) -55 .....
°
C至+ 125
°
C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗..........................................为1.0W
*注:以上操作绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
T
A
= 25
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS , CAS,WE , OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
电容*
*注:电容进行采样,而不是100 %测试
V53C16126H修订版1.3 1998年2月
2
茂矽
框图
128K ×16
OE
WE
UCAS
LCAS
RAS
V53C16126H
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
VCC
VSS
数据I / O总线
列解码器
Y0–Y7
I / O 1
I/O2
I/O3
I / O
卜FF器
I/O4
I / O 5
I/O6
I/O7
I/O8
I / O 9
I/O10
I/O11
感测放大器
刷新
计数器
256 x 16
9
A0
A1
A7
A8
地址缓冲器
与预解码
ROW
解码器
X0– X8
512
I/O12
内存
ARRAY
I / O 13
I/O14
I/O15
I/O16
512 x 256 x 16
16126H-04
V53C16126H修订版1.3 1998年2月
3
茂矽
DC和工作特性
(1-2)
T
A
= 0
°
C至70
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V时,除非另有规定。
ACCESS
时间
V53C16126H
分钟。
–10
V53C16126H
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
参数
输入漏电流
(任何输入引脚)
输出漏电流
(为高阻态)
V
CC
电源电流,
操作
典型值。
马克斯。
10
单位
µ
A
µ
A
mA
测试条件
V
SS
V
IN
V
CC
V
SS
V
OUT
V
CC
RAS , CAS在V
IH
t
RC
= t
RC
(分)
笔记
–10
10
30
35
40
45
50
200
190
180
170
160
2
1, 2
I
CC2
I
CC3
V
CC
电源电流,
TTL待机
V
CC
电源电流,
RAS -ONLY刷新
30
35
40
45
50
mA
RAS , CAS在V
IH
,
其他投入
V
SS
t
RC
= t
RC
(分)
2
200
190
180
170
160
190
180
170
160
150
2
mA
I
CC4
V
CC
电源电流,
快速页模式操作
30
35
40
45
50
mA
最小周期
1, 2
I
CC5
V
CC
电源电流,
待机输出使能
其他投入
V
SS
V
CC
电源电流,
CMOS待机
mA
RAS = V
IH
CAS = V
IL
RAS
V
CC
– 0.2 V,
CAS
V
CC
– 0.2 V,
所有其它输入
V
SS
1
I
CC6
1
mA
V
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
电源电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
4.5
–1
2.4
5.5
0.8
V
CC
+ 1
0.4
V
V
V
V
V
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5毫安
3
3
2.4
2.4
V53C16126H修订版1.3 1998年2月
4
茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ,除非另有说明
AC测试条件下,输入脉冲电平0〜 3V
30
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH (R)的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH (W)的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间(读周期)
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间
参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列存取时间
地址
OE或CAS以低阻抗输出
OE或CAS到输出高阻态
列地址保持时间从
RAS
RAS到列地址
延迟时间
RAS或CAS保持时间
写周期
写命令CAS
交货时间
写命令设置时间
写命令保持时间
0
0
26
5
35
40
45
50
V53C16126H
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
30
65
25
30
5
15
0
0
5
0
5
10
5
0
20
75K
35
70
25
35
6
16
0
0
6
0
5
10
5
0
24
75K
40
75
25
40
7
17
0
0
7
0
5
10
5
0
28
75K
45
80
25
45
8
18
0
0
8
0
6
10
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
10
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4
15
0
0
0
0
0
ns
5
16
6
7
8
9
10
ns
17
18
19
20
10
10
30
16
11
11
35
18
12
12
40
20
13
13
45
22
14
14
50
24
ns
ns
ns
ns
12
6,7,14
6, 8, 9
6,7,10
21
22
23
0
0
28
6
0
0
30
6
0
0
35
7
0
0
40
8
ns
ns
ns
16
16
24
10
14
11
17
12
20
13
23
14
26
ns
11
25
10
10
10
10
10
ns
26
10
11
12
13
14
ns
27
28
0
5
0
5
0
5
0
6
0
7
ns
ns
12, 13
V53C16126H修订版1.3 1998年2月
5
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V53C16126HK35

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23 MOSEL

V53C16126HT30

DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|TSOP|44PIN|PLASTIC
17 MOSEL
    V53C16126H
    应用领域和描述

    HIGH PERFORMANCE 128K X 16 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
    高性能128K x 16位的快速页面模式的CMOS动态RAM

    总18页 (139K) MOSEL VITELIC, CORP
    MOSEL VITELIC, CORP
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