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V53C16256 256K ×16快速页面模式的CMOS动态的,自刷新内存 (256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH)
.型号:   V53C16256
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描述: 256K ×16快速页面模式的CMOS动态的,自刷新内存
256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH
文件大小 :   147 K    
页数 : 19 页
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品牌   MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
茂矽
V53C16256SH
256K ×16的快速页面模式
CMOS动态RAM与
自刷新
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×16位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
43兆赫
s
RAS访问时间: 40 ns的50
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS的刷新和自刷新
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和
40 / 44L -销400万TSOP- II封装
s
单5.0V
±
10 %的电力供应
s
TTL接口
s
自刷新: 512次/ 8ms的
描述
该V53C16256SH是262,144 ×16位高
高性能CMOS动态随机存取MEM-
ORY 。该V53C16256SH提供快速页面模式
采用双CAS输入。地址, CAS和RAS IN-
放电容被减少到四分之一时
在X4 DRAM的用于构造相同的存储器
密度。该V53C16256SH具有对称AD-
打扮并接受512周期8ms的时间间隔。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机访问多达512 ×16位,
在一个页面中,与周期时间短至23ns 。
该V53C16256SH是最适合的图形,
和DSP应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
T
访问时间(纳秒)
40
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C16256SH修订版0.1 1998年12月
1
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