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茂矽
V53C16258H
高性能
256K ×16 EDO页模式
CMOS动态RAM
可选的自刷新
25
25纳秒
13纳秒
10纳秒
45纳秒
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。扩展数据输出模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
12纳秒
60纳秒
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
100兆赫
s
RAS存取时间:25, 30 ,35, 40 ,45, 50纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS刷新
s
可选的自刷新( V53C16258SH )
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±10%
电源
s
TTL接口
描述
该V53C16258H是高速262144 ×16
位高性能CMOS动态随机
存取存储器。该V53C16258H提供
独特的功能组合,包括: EDO
为持续提高页面模式操作
带宽页面模式的周期时间越短
为10ns 。所有输入为TTL兼容。输入
输出capicatance被显著降低到
提高性能和降低负载。这些
特点使得V53C16258H非常适合于
各种各样的高性能计算机系统
和外设应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
K
T
25
30
访问时间(纳秒)
35
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
I
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
1
茂矽
部件名称
V53C16258HKxx
V53C16258HTxx
V53C16258SHKxx
V53C16258SHTxx
V53C16258H
电源电压
5V
5V
5V
5V
自刷新
无自刷新
无自刷新
可选标准自刷新( 8毫秒)
可选标准自刷新( 8毫秒)
SOJ
TSOP
SOJ
TSOP
速度
25/30/35/40/45/50
25/30/35/40/45/50
25/30/35/40/45/50
25/30/35/40/45/50
V
5
3
C
16
2
5
8
S
H
40引脚SOJ
引脚配置
顶视图
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
16258H-02
家庭
设备
S(可选的标准
自刷新)
H( 5V)
K( SOJ )
T( TSOP - II )
PKG
速度
( t
RAC
)
温度。
PWR 。
空( 0 ° C至70 ° C)
我( -40 ° C至+ 85°C )
BLANK ( NORMAL)
( 25纳秒)
( 30纳秒)
( 35纳秒)
( 40纳秒)
( 45纳秒)
16258H-01
( 50纳秒)
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
25
30
35
40
45
50
40/44引脚塑料TSOP -II
引脚配置
顶视图
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
引脚名称
A
0
–A
8
RAS
UCAS
LCAS
WE
OE
I / O
1
-I / O
16
V
CC
V
SS
NC
地址输入
行地址选通
列地址选通/高字节控制
列地址选通/低字节控制
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入,输出
+ 5V电源
0V供应
无连接
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
16258H-03
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
2
茂矽
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置..................................... -10
°
C至+ 80
°
C
存储温度(塑料) -55 .....
°
C至+ 125
°
C
电压相对于V
SS
.................- 1.0 V至7.0 V
数据输出电流..................................... 50毫安
功耗..........................................为1.0W
*注意:
操作上面绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
V53C16258H
T
A
= 25
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS , CAS,WE , OE
数据输入/输出
典型值。
3
4
5
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
电容*
*注意:
电容进行采样,而不是100 %测试
框图
256K ×16
OE
WE
UCAS
LCAS
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
WE时钟
发电机
OE时钟
发电机
VCC
VSS
数据I / O总线
列解码器
Y -Y8
0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
感测放大器
512 x 16
I / O
卜FF器
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
刷新
计数器
9
A0
A1
地址缓冲器
与预解码
X0 -X8
ROW
解码器
512
A7
A8
内存
ARRAY
256K ×16
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
I / O 16
16258H-04
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
3
茂矽
DC和工作特性
(1-2)
T
A
= 0
°
C至70
°
C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V时,除非另有规定。
ACCESS
时间
V53C16258H
分钟。
–10
–10
25
30
35
40
45
50
I
CC2
I
CC3
V
CC
电源电流,
TTL待机
V
CC
电源电流,
RAS -ONLY刷新
25
30
35
40
45
50
I
CC4
V
CC
电源电流,
EDO页面模式操作
25
30
35
40
45
50
I
CC5
V
CC
电源电流,
待机状态下,输出启用
其他投入
V
SS
V
CC
电源电流,
CMOS待机
自刷新电流
V53C16258H
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
参数
输入漏电流
(任何输入引脚)
输出漏电流
(为高阻态)
V
CC
电源电流,
操作
典型值。
马克斯。
10
10
260
200
190
180
100
90
2
260
200
190
180
100
90
200
140
130
120
90
80
2
单位
µ
A
µ
A
mA
测试条件
V
SS
V
IN
V
CC
V
SS
V
OUT
V
CC
RAS , CAS在V
IH
t
RC
= t
RC
(分)
笔记
1, 2
mA
mA
RAS , CAS在V
IH
其他投入
V
SS
t
RC
= t
RC
(分)
2
mA
最小周期
1, 2
mA
RAS = V
IH
, CAS = V
IL
1
I
CC6
1
mA
RAS
V
CC
– 0.2 V,
CAS
V
CC
– 0.2 V,
所有其它输入
V
SS
CBR循环吨
RAS
t
RASS
(最小)和CAS = V
IL
;
WE = V
CC
-0.2V ;一
0
–A
8
D
IN
= V
CC
–0.2V
I
CC7
400
µ
A
V
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
电源电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
4.5
–1
2.4
5.0
5.5
0.8
V
CC
+ 1
0.4
V
V
V
V
V
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -2毫安
3
3
2.4
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
4
茂矽
T
A
= 0℃至70℃ ,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ,除非另有说明
AC测试条件下,输入脉冲电平0〜 3V
25
(100 MHz)的
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH (R)的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH (W)的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间(读周期)
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间参考的
以OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列存取时间
地址
OE或CAS以低阻抗输出
OE或CAS到输出高阻态
列地址保持时间
从RAS
RAS到列地址
延迟时间
RAS或CAS保持时间
写周期
写命令CAS
交货时间
写命令设置时间
写命令保持时间
0
0
19
5
30
35
40
45
V53C16258H
AC特性
50
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
25
45
15
25
4
10
0
0
4
0
4
7
5
0
17
75K
30
60
20
30
5
12
0
0
5
0
5
9
5
0
20
75K
35
70
25
35
6
13
0
0
6
0
5
10
5
0
24
75K
40
75
25
40
7
15
0
0
7
0
5
10
5
0
28
75K
45
80
25
45
8
18
0
0
8
0
6
10
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
10
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4
15
0
0
0
0
0
0
ns
5
16
4
6
7
8
9
10
ns
17
18
19
20
8
8
25
13
10
10
30
16
11
11
35
18
12
12
40
20
13
13
45
22
14
14
50
24
ns
12
纳秒6,7, 14
ns
6, 8, 9
纳秒6,7, 10
21
22
23
0
0
23
5
0
0
25
6
0
0
30
6
0
0
35
7
0
0
40
8
ns
ns
ns
16
16
24
8
13
9
14
10
17
12
20
13
23
14
26
ns
11
25
7
9
10
10
10
10
ns
26
5
7
8
10
13
14
ns
27
28
0
4
0
5
0
5
0
5
0
6
0
7
ns
ns
12, 13
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
5
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V53C16258HK40

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    V53C16258HK35
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    HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH
    高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新

    总20页 (560K) MOSEL VITELIC, CORP
    MOSEL VITELIC, CORP
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