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描述:
NF2EB-2M-6V1  ST173C12CFK0P  NF2EB-24V  NF2EB-12V  STP140NF55  NF2EB-2M-48V1  KVX01S473K0T001  NF4EB-4M-5V  NF2EB-4M-6V1  NF2EB-4M-24V  
V53C16258HT40 高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 (HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH)
.型号:   V53C16258HT40
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描述: 高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新
HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH
文件大小 :   560 K    
页数 : 20 页
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品牌   MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
茂矽
V53C16258H
高性能
256K ×16 EDO页模式
CMOS动态RAM
可选的自刷新
25
25纳秒
13纳秒
10纳秒
45纳秒
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。扩展数据输出模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
12纳秒
60纳秒
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
100兆赫
s
RAS存取时间:25, 30 ,35, 40 ,45, 50纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS刷新
s
可选的自刷新( V53C16258SH )
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±10%
电源
s
TTL接口
描述
该V53C16258H是高速262144 ×16
位高性能CMOS动态随机
存取存储器。该V53C16258H提供
独特的功能组合,包括: EDO
为持续提高页面模式操作
带宽页面模式的周期时间越短
为10ns 。所有输入为TTL兼容。输入
输出capicatance被显著降低到
提高性能和降低负载。这些
特点使得V53C16258H非常适合于
各种各样的高性能计算机系统
和外设应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
K
T
25
30
访问时间(纳秒)
35
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
I
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
1
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