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NCS2535DTR2G  NCS2535DTG  FYS-10012EXX-0  FYS-10012DXX-3  FYS-10012DXX-4  NCS2535  NCS2553DG  FYS-10012DXX-2  FYS-10012DX-4  FYS-10012EXX-1  
V53C16258LK50 高性能3.3伏256K X 16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 (HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH)
.型号:   V53C16258LK50
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描述: 高性能3.3伏256K X 16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新
HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH
文件大小 :   158 K    
页数 : 20 页
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品牌   MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
购买 :   
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100%
茂矽
V53C16258L
高性能
3.3伏256K X 16 EDO页模式
CMOS动态RAM
可选的自刷新
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
71兆赫
s
RAS访问时间: 35 , 40 , 45 , 50纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS的刷新和自刷新
s
可选的自刷新( V53C16258SL )
s
刷新间隔:标准: 512次/ 8ms的
s
可提供40引脚400密耳SOJ和
40 / 44L -销400万TSOP- II封装
s
+ 3.3V单
±
0.3V电源
s
TTL接口
描述
该V53C16258L是262,144 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C16258L提供页面模式
扩展数据输出。地址, CAS和RAS
输入电容被减少到四分之一
当X4 DRAM的用于构造相同的
存储密度。该V53C16258L具有对称
正视和接受512周期8ms的时间间隔。
所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式
操作允许随机访问多达512 ×16位,
在一个页面中,与周期时间尽可能短为15ns 。
该V53C16258L非常适合宽
各种高性能便携式计算机
系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
T
35
访问时间(纳秒)
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C16258L 1.1修订版1999年6月
1
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