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XC9201C60AKL  XC9201C80AKL  XC9201C83AKR  XC9201C53AKR  XC9201C50AKR  XC9201C69AKL  XC9201CA0AKL  XC9201CA0AKR  XC9201C63AKL  XC9201C40AKR  
V53C16258SHK50 高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM自刷新 (HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM SELF REFRESH)
.型号:   V53C16258SHK50
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描述: 高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM自刷新
HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM SELF REFRESH
文件大小 :   156 K    
页数 : 20 页
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品牌   MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
购买 :   
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100%
茂矽
V53C16258SH
高性能
256K ×16 EDO页模式
CMOS动态RAM
自刷新
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。扩展数据输出模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
53兆赫( -50ns )
s
RAS访问时间: 50 ns的
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS刷新
s
自刷新
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 %的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C16258SH是高速262144 ×16
位高性能CMOS动态随机
存取存储器。该V53C16258SH提供
独特的功能组合,包括: EDO
为持续提高页面模式操作
带宽页面模式的周期时间越短
19ns 。所有输入为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
提高性能和降低负载。这些
特点使得V53C16258SH非常适合于
多种高性能计算机
系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
T
访问时间(纳秒)
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C16258SH版本0.3 1998年9月
1
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